公开(公告)号：US20120094499A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13087227

申请日：2011-04-14

申请人： Siu Tang Ng ,  Guowen Ding ,  Teh-Tien Su ,  Zhuang Li ,  Benjamin Schwarz ,  Benjamin Lee

发明人： Siu Tang Ng ,  Guowen Ding ,  Teh-Tien Su ,  Zhuang Li ,  Benjamin Schwarz ,  Benjamin Lee

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： B08B7/0035 ,  H01J37/32862

摘要： Methods of performing in situ chamber cleaning for etch chambers are described.

摘要翻译： 描述了对蚀刻室进行原位室清洁的方法。