公开(公告)号：US07226852B1

公开(公告)日：2007-06-05

申请号：US10866382

申请日：2004-06-10

申请人： Siyi Li ,  Helen H. Zhu ,  Howard Dang ,  Thomas S. Choi ,  Peter Loewenhardt

发明人： Siyi Li ,  Helen H. Zhu ,  Howard Dang ,  Thomas S. Choi ,  Peter Loewenhardt

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31138

摘要： A method of forming a feature in a low-k dielectric layer is provided. A low-k dielectric layer is placed over a substrate. A patterned photoresist mask is placed over the low-k dielectric layer. At least one feature is etched into the low-k dielectric layer. A CO conditioning is preformed on the at least one feature after the at least one feature is etched. The patterned photoresist mask is stripped after the CO conditioning.

摘要翻译： 提供了在低k电介质层中形成特征的方法。 将低k电介质层放置在衬底上。 将图案化的光致抗蚀剂掩模放置在低k电介质层上。 至少一个特征被蚀刻到低k电介质层中。 在蚀刻至少一个特征之后，在至少一个特征上进行CO调节。 在CO调节之后剥离图案化的光刻胶掩模。

公开(公告)号：US07385287B2

公开(公告)日：2008-06-10

申请号：US11744035

申请日：2007-05-03

申请人： Siyi Li ,  Helen H. Zhu ,  Howard Dang ,  Thomas S. Choi ,  Peter Loewenhardt

发明人： Siyi Li ,  Helen H. Zhu ,  Howard Dang ,  Thomas S. Choi ,  Peter Loewenhardt

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31138

摘要： A method of forming a feature in a low-k dielectric layer is provided. A low-k dielectric layer is placed over a substrate. A patterned photoresist mask is placed over the low-k dielectric layer. At least one feature is etched into the low-k dielectric layer. A CO conditioning is preformed on the at least one feature after the at least one feature is etched. The patterned photoresist mask is stripped after the CO conditioning.

摘要翻译： 提供了在低k电介质层中形成特征的方法。 将低k电介质层放置在衬底上。 将图案化的光致抗蚀剂掩模放置在低k电介质层上。 至少一个特征被蚀刻到低k电介质层中。 在蚀刻至少一个特征之后，在至少一个特征上进行CO调节。 在CO调节之后剥离图案化的光刻胶掩模。

公开(公告)号：US07892445B1

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：US11853968

申请日：2007-09-12

申请人： David Wei ,  Howard Dang ,  Masahiro Watanabe ,  Sean Kang ,  Kenji Takeshita ,  Mayumi Block ,  Stephen Sirard ,  Eric Hudson

发明人： David Wei ,  Howard Dang ,  Masahiro Watanabe ,  Sean Kang ,  Kenji Takeshita ,  Mayumi Block ,  Stephen Sirard ,  Eric Hudson

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01L21/6831

摘要： A method of dechucking a wafer, with a low-k dielectric layer, held onto an electrostatic chuck by an electrostatic charge in a plasma chamber is provided. The electrostatic clamping voltage is removed. An essentially argon free dechucking gas is provided into the plasma chamber. A dechucking plasma is formed from the dechucking gas in the plasma chamber. The dechucking plasma is stopped.

摘要翻译： 提供了通过在等离子体室中的静电电荷将具有低k电介质层的晶片脱扣保持在静电卡盘上的方法。 静电钳位电压被去除。 在等离子体室中提供基本上无氩的脱扣气体。 从等离子体室中的脱扣气体形成脱扣等离子体。 脱扣等离子体停止。