公开(公告)号：US20090102023A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：US11875140

申请日：2007-10-19

申请人： Stephan Wege ,  Chirstoph Noelscher ,  Alfred Kersch ,  Hocine Boubekeur ,  Christoph Ludwig

发明人： Stephan Wege ,  Chirstoph Noelscher ,  Alfred Kersch ,  Hocine Boubekeur ,  Christoph Ludwig

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/0337 ,  B81C1/00111 ,  H01L21/0338

摘要： One possible embodiment is a method for manufacturing a structure on a substrate which can be used in the manufacturing of a semiconductor device, including the steps of: forming a first structure on the substrate having at least one sidewall, forming at least one layer as a second structure selectively on the at least one sidewall of the first structure by an epitaxial technique, electroplating, selective silicon dioxide deposition, selective low pressure CVD or an atomic layer deposition technique. Furthermore semiconductor devices, uses of equipment and structures are covered.

摘要翻译： 一个可能的实施例是用于制造可用于制造半导体器件的衬底上的结构的方法，包括以下步骤：在具有至少一个侧壁的衬底上形成第一结构，形成至少一层作为 第二结构通过外延技术，电镀，选择性二氧化硅沉积，选择性低压CVD或原子层沉积技术选择性地在第一结构的至少一个侧壁上。 此外，还涵盖了半导体器件，设备和结构的使用。