公开(公告)号：US06897081B2

公开(公告)日：2005-05-24

申请号：US10348950

申请日：2003-01-23

申请人： Stephen S. K. Hsiung ,  Jung-Chuan Chou ,  Tai-Ping Sun ,  Wen-Yaw Chung ,  Yuan-Lung Chin ,  Chung-We Pan

发明人： Stephen S. K. Hsiung ,  Jung-Chuan Chou ,  Tai-Ping Sun ,  Wen-Yaw Chung ,  Yuan-Lung Chin ,  Chung-We Pan

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/144

CPC分类号： H01L27/144

摘要： A method for fabricating a monolithic chip including multi-sensors that can detect pH, temperature, photo-intensity simultaneously and a readout circuit. As such, as well as the multi-sensors, the readout circuit also has a reduced chip area at low cost since selection switches are used to sequentially read pH, temperature and photo-intensity detecting values, wherein the readout action is completed within a clock cycle. The entire structure is fabricated with standard 0.5 μm CMOS IC, Double Poly Double Metal (DPDM), n-well technology and allows the integration of the on-chip signal conditioning circuitry. The chip fabricated by the method can not only sense the Ph, temperature, photo values but also apply the extended gate field effect transistor (EGFET) on the temperature and light compensation to produce realistic pH values.

摘要翻译： 一种制造包括可以同时检测pH，温度，光强度的多传感器和读出电路的单片式芯片的方法。 因此，除了多传感器之外，由于选择开关用于依次读取pH，温度和光强度检测值，读出电路也以低成本降低了芯片面积，其中读出动作在时钟内完成 周期。 整个结构采用标准0.5毫米CMOS IC，双聚双金属（DPDM），n阱技术制造，并允许集成片上信号调理电路。 通过该方法制造的芯片不仅可以检测Ph，温度，光值，还可以应用扩展栅场效应晶体管（EGFET）对温度和光补偿，以产生逼真的pH值。

公开(公告)号：US06974716B2

公开(公告)日：2005-12-13

申请号：US10802907

申请日：2004-03-17

申请人： Stephen S. K. Hsiung ,  Jung-Chuan Chou ,  Tai-Ping Sun ,  Wen-Yaw Chung ,  Yuan-Lung Chin ,  Lei Zhen Ce

发明人： Stephen S. K. Hsiung ,  Jung-Chuan Chou ,  Tai-Ping Sun ,  Wen-Yaw Chung ,  Yuan-Lung Chin ,  Lei Zhen Ce

IPC分类号： G01N27/414 ,  H01L21/00 ,  H01L21/203 ,  H01L29/772

CPC分类号： G01N27/414

摘要： A method for fabricating a titanium nitride (TiN) sensing membrane on an extended gate field effect transistor (EGFET). The method comprises the steps of depositing a layer of aluminum on a gate terminal of the EGFET using thermal evaporation and forming the TiN sensing membrane on an exposed part of the layer of aluminum in the sensitive window as an ion sensitive sensor (pH sensor) using a radio frequency (RF) sputtering process. Because TiN is suitable for use in a standard CMOS process, all the elements in the sensing device can be mass produced and offer the benefits of low cost, high yield, and high performance.

摘要翻译： 在扩展栅场效应晶体管（EGFET）上制造氮化钛（TiN）感测膜的方法。 该方法包括以下步骤：使用热蒸发在EGFET的栅极端子上沉积铝层，并在敏感窗口中的铝层的暴露部分上形成TiN感测膜，作为离子敏感传感器（pH传感器），使用 射频（RF）溅射工艺。 由于TiN适用于标准CMOS工艺，因此可以大量生产传感器件中的所有元件，并提供低成本，高产量和高性能的优点。