公开(公告)号：US20120075937A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13313828

申请日：2011-12-07

申请人： Sun Young HWANG

发明人： Sun Young HWANG

IPC分类号： G11C7/06

CPC分类号： G11C7/062 ,  G11C29/026 ,  G11C29/12 ,  G11C29/50 ,  G11C29/52 ,  G11C2029/1204

摘要： A semiconductor memory device includes a first sense amplifier which senses data on a first line pair and generates a first output signal; and a test unit which senses the data on a first line pair and transfers a second output signal to a second line in response to a test mode signal.

摘要翻译： 半导体存储器件包括：第一读出放大器，其感测第一线对上的数据并产生第一输出信号; 以及测试单元，其响应于测试模式信号感测第一对线上的数据并将第二输出信号传送到第二线。

公开(公告)号：US20100142286A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12631027

申请日：2009-12-04

申请人： Sun Young HWANG ,  Yin Jae LEE

发明人： Sun Young HWANG ,  Yin Jae LEE

IPC分类号： G11C7/12 ,  G11C7/22

CPC分类号： G11C7/12 ,  G11C7/22

摘要： An auto-precharge signal generation circuit comprises a signal generator, a set signal generator, and an auto-precharge signal generator. The signal generator is configured to generating a control signal and a precharge control signal in response to receiving a first column address strobe signal and an auto-precharge flag signal. The set signal generator is configured to generating a set signal in response to receiving the control signal and the precharge control signal. The auto-precharge signal generator is configured to generate an auto-precharge signal in response to receiving the set signal and a period set signal.

摘要翻译： 自动预充电信号发生电路包括信号发生器，设定信号发生器和自动预充电信号发生器。 信号发生器被配置为响应于接收到第一列地址选通信号和自动预充电标志信号而产生控制信号和预充电控制信号。 设置信号发生器被配置为响应于接收到控制信号和预充电控制信号而产生设置信号。 自动预充电信号发生器被配置为响应于接收到设置信号和周期设置信号而产生自动预充电信号。

公开(公告)号：US20120275247A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13191625

申请日：2011-07-27

申请人： Sun Young HWANG ,  Sang Il PARK

发明人： Sun Young HWANG ,  Sang Il PARK

IPC分类号： G11C29/04

CPC分类号： G11C29/4401 ,  G11C29/789

摘要： A semiconductor memory device includes a latch address generation unit configured to latch row addresses to generate first and second latch addresses when at least one of memory cells coupled to sub word lines is faulty, wherein the first and second latch addresses select different main word lines, and a repair unit configured to perform a repair operation on memory cells coupled to the main word lines selected by the first and second latch addresses.

摘要翻译： 半导体存储器件包括锁存地址生成单元，其被配置为当耦合到子字线的存储器单元中的至少一个有故障时，锁存行地址以产生第一和第二锁存器地址，其中第一和第二锁存器地址选择不同的主字线， 以及修复单元，被配置为对与由第一和第二锁存器地址选择的主字线耦合的存储器单元执行修复操作。