公开(公告)号：US20160110253A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：US14978538

申请日：2015-12-22

申请人： Sun-gyeum Kim ,  Hyeok-man Kwon ,  Young-jun Kwon ,  Ki-young Choi ,  Jun-whan Ahn

发明人： Sun-gyeum Kim ,  Hyeok-man Kwon ,  Young-jun Kwon ,  Ki-young Choi ,  Jun-whan Ahn

IPC分类号： G06F11/10 ,  G11C29/52

CPC分类号： G06F11/1068 ,  G06F11/1064 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1677 ,  G11C29/52

摘要： In one embodiment, the memory device includes a data storage region and an error correction (ECC) region. The data storage region configured to store a first number of data blocks. The ECC region is configured to store a second number of ECC blocks. Each of the second number of ECC blocks is configured to store ECC information. The second number of the ECC blocks is associated with the first number of data blocks, and the second number is less than the first number.

摘要翻译： 在一个实施例中，存储器件包括数据存储区域和纠错（ECC）区域。 数据存储区域被配置为存储第一数量的数据块。 ECC区域被配置为存储第二数量的ECC块。 第二数量的ECC块中的每一个被配置为存储ECC信息。 ECC块的第二数量与第一数量块相关联，第二数量小于第一数量。