公开(公告)号：US20150357180A1

公开(公告)日：2015-12-10

申请号：US14734693

申请日：2015-06-09

申请人： SunEdison Semiconductor Limited (UEN201334164H)

发明人： Sasha Joseph Kweskin ,  Lara Short ,  Tracy M. Ragan ,  James R. Capstick

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/02052 ,  H01L21/02024

摘要： Methods for cleaning semiconductor substrates with cleaning baths including ammonium hydroxide, hydrogen peroxide and a non-ionic surfactant are disclosed. The methods may result in reduced re-adhesion of released particles during cleaning which produces cleaner substrates.

摘要翻译： 公开了使用包括氢氧化铵，过氧化氢和非离子表面活性剂的清洗浴来清洗半导体衬底的方法。 这些方法可能导致在清洁期间释放的颗粒的再附着减少，这产生更清洁的基底。