公开(公告)号：US09209300B2

公开(公告)日：2015-12-08

申请号：US14337494

申请日：2014-07-22

申请人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.

发明人： Hung-Ta Lin ,  Chu-Yun Fu ,  Shin-Yeh Huang ,  Shu-Tine Yang ,  Hung-Ming Chen

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/02293 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

摘要： A fin field effect transistor including a first insulation region and a second insulation region over a top surface of a substrate. The first insulation region includes tapered top surfaces, and the second insulation region includes tapered top surfaces. The fin field effect transistor further includes a fin extending above the top surface between the first insulation region and the second insulation region. The fin includes a first portion having a top surface below the tapered top surfaces of the first insulation region. The fin includes a second portion having a top surface above the tapered top surfaces of the first insulation region.

摘要翻译： 一种鳍状场效应晶体管，包括在衬底顶表面上的第一绝缘区域和第二绝缘区域。 第一绝缘区域包括锥形顶表面，并且第二绝缘区域包括锥形顶表面。 翅片场效应晶体管还包括在第一绝缘区域和第二绝缘区域之间的顶表面上方延伸的鳍片。 翅片包括在第一绝缘区域的锥形顶表面下方具有顶表面的第一部分。 翅片包括在第一绝缘区域的锥形顶表面上方具有顶表面的第二部分。

公开(公告)号：US08809940B2

公开(公告)日：2014-08-19

申请号：US13859505

申请日：2013-04-09

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.

发明人： Hung-Ta Lin ,  Chu-Yun Fu ,  Shin-Yeh Huang ,  Shu-Tine Yang ,  Hung-Ming Chen

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/02293 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

摘要： A FinFET is described, the FinFET includes a substrate including a top surface and a first insulation region and a second insulation region over the substrate top surface comprising tapered top surfaces. The FinFET further includes a fin of the substrate extending above the substrate top surface between the first and second insulation regions, wherein the fin includes a recessed portion having a top surface lower than the tapered top surfaces of the first and second insulation regions, wherein the fin includes a non-recessed portion having a top surface higher than the tapered top surfaces. The FinFET further includes a gate stack over the non-recessed portion of the fin.

摘要翻译： 描述了FinFET，FinFET包括包括顶表面和第一绝缘区域的衬底以及包括锥形顶表面的衬底顶表面上的第二绝缘区域。 FinFET还包括在第一和第二绝缘区域之间的衬底顶表面上延伸的衬底的翅片，其中鳍片包括具有比第一和第二绝缘区域的锥形顶表面低的顶表面的凹陷部分，其中 翅片包括具有高于锥形顶表面的顶表面的非凹陷部分。 FinFET还包括在鳍的非凹陷部分上方的栅极堆叠。

公开(公告)号：US09716091B2

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：US15194222

申请日：2016-06-27

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.

发明人： Hung-Ta Lin ,  Chu-Yun Fu ,  Hung-Ming Chen ,  Shu-Tine Yang ,  Shin-Yeh Huang

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L29/165

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/02293 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

摘要： A fin field effect transistor (FinFET) including a first insulation region and a second insulation region and fin there between. A gate stack is disposed over a first portion of the fin. A strained source/drain material is disposed over a second portion of the fin. The strained source/drain material has a flat top surface extending over the first and second insulation regions. The first insulation region may include a tapered top surface.

公开(公告)号：US20160087079A1

公开(公告)日：2016-03-24

申请号：US14960807

申请日：2015-12-07

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.

发明人： Hung-Ta Lin ,  Chu-Yun Fu ,  Hung-Ming Chen ,  Shu-Tine Yang ,  Shin-Yeh Huang

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/02293 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

摘要： A method of fabricating a fin field effect transistor (FinFET) including forming a first insulation region and a second insulation region and fin there between. The method further includes forming a gate stack over a portion of the fin and over a portion of the first and second insulation regions. The method further includes tapering the top surfaces of the first and second insulation regions not covered by the gate stack.

摘要翻译： 一种制造鳍状场效应晶体管（FinFET）的方法，包括形成第一绝缘区域和第二绝缘区域并在其间形成鳍片。 该方法还包括在鳍片的一部分上以及第一和第二绝缘区域的一部分上方形成栅叠层。 该方法还包括使未被栅极堆叠覆盖的第一和第二绝缘区域的顶表面逐渐变细。

公开(公告)号：US09379215B2

公开(公告)日：2016-06-28

申请号：US14960807

申请日：2015-12-07

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.

发明人： Hung-Ta Lin ,  Chu-Yun Fu ,  Hung-Ming Chen ,  Shu-Tine Yang ,  Shin-Yeh Huang

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/02293 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

摘要： A method of fabricating a fin field effect transistor (FinFET) including forming a first insulation region and a second insulation region and fin there between. The method further includes forming a gate stack over a portion of the fin and over a portion of the first and second insulation regions. The method further includes tapering the top surfaces of the first and second insulation regions not covered by the gate stack.

摘要翻译： 一种制造鳍状场效应晶体管（FinFET）的方法，包括形成第一绝缘区域和第二绝缘区域并在其间形成鳍片。 该方法还包括在鳍片的一部分上以及第一和第二绝缘区域的一部分上方形成栅叠层。 该方法还包括使未被栅极堆叠覆盖的第一和第二绝缘区域的顶表面逐渐变细。