公开(公告)号：US20160122695A1

公开(公告)日：2016-05-05

申请号：US14925034

申请日：2015-10-28

申请人： TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.

发明人： Tomoya KUMAGAI ,  Naohisa UENO ,  Mai SUGAWARA

IPC分类号： C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C23F1/02 ,  C11D11/00 ,  B08B3/08 ,  C11D7/26 ,  C11D7/50

CPC分类号： C11D7/3281 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  C23F11/10 ,  C23G1/16

摘要： A cleaning liquid for lithography that is capable of removing residual material which remains after an etching process, as well as suppressing corrosion of at least one of cobalt and alloys thereof, and a method for cleaning a substrate using the cleaning liquid. The cleaning liquid for lithography includes hydroxylamine, at least one basic compound selected from amine compounds other than hydroxylamine, and quaternary ammonium hydroxides, and water, and has a pH value of 8 or higher. The cleaning liquid is used in cleaning a substrate containing at least one of cobalt and alloys thereof.

摘要翻译： 一种用于光刻的清洁液体，其能够去除在蚀刻工艺之后残留的残余材料，以及抑制钴及其合金中的至少一种的腐蚀，以及使用该清洗液清洗基板的方法。 用于光刻的清洁液包括羟胺，至少一种选自羟胺以外的胺化合物的碱性化合物和季铵氢氧化物和水，并且具有8或更高的pH值。 清洗液用于清洗含有钴及其合金中的至少一种的基材。