公开(公告)号：US20120012984A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US13208944

申请日：2011-08-12

申请人： Takanao SHIMODAIRA ,  Takayuki Hirao ,  Katsuhiro Imai

发明人： Takanao SHIMODAIRA ,  Takayuki Hirao ,  Katsuhiro Imai

IPC分类号： H01L29/20 ,  C30B19/02

CPC分类号： H01L29/2003 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

摘要： To grow a gallium nitride crystal, a seed-crystal substrate is first immersed in a melt mixture containing gallium and sodium. Then, a gallium nitride crystal is grown on the seed-crystal substrate under heating the melt mixture in a pressurized atmosphere containing nitrogen gas and not containing oxygen. At this time, the gallium nitride crystal is grown on the seed-crystal substrate under a first stirring condition of stirring the melt mixture, the first stirring condition being set for providing a rough growth surface, and the gallium nitride crystal is subsequently grown on the seed-crystal substrate under a second stirring condition of stirring the melt mixture, the second stirring condition being set for providing a smooth growth surface.

摘要翻译： 为了生长氮化镓晶体，首先将晶种衬底浸入含有镓和钠的熔融混合物中。 然后，在含有氮气且不含氧的加压气氛中加热熔融混合物，在晶种基板上生长氮化镓晶体。 此时，在搅拌熔融混合物的第一搅拌条件下，在籽晶基板上生长氮化镓晶体，将第一搅拌条件设定为提供粗糙的生长表面，然后氮化镓晶体在 晶种基材在搅拌熔融混合物的第二搅拌条件下，将第二搅拌条件设定为提供平滑的生长表面。