公开(公告)号：US20140090686A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：US13651140

申请日：2012-10-12

Applicant: The Massachusetts Institute of Technology

Inventor： Anuradha M. Agarwal ,  Brian R. Albert ,  Lirong Zeng Broderick ,  Jing Cheng ,  Juejun Hu ,  Lionel Kimerling ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel ,  Xing Sheng

IPC: H01L31/052

CPC classification number: H01L31/0475 ,  H01L31/0549 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1836 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547

Abstract: Provided in one embodiment is an article, comprising: a substrate comprising silicon; and a plurality of solar cells disposed over the substrate, wherein at least one of the plurality of the solar cells comprises one of: (i) a first semiconductor layer disposed over the substrate, the first layer comprising at least one semiconductor material; and (ii) a first Ge-containing layer disposed over the substrate, the first layer comprising a Ge-containing material, and a second layer disposed over the first layer, the second layer comprising at least one semiconductor material. At least some of the solar cells may comprise semiconductor materials of different bandgap values.

Abstract translation: 在一个实施方案中提供了一种制品，其包括：包含硅的基材; 以及设置在所述基板上的多个太阳能电池，其中所述多个太阳能电池中的至少一个包括以下之一：（i）设置在所述基板上的第一半导体层，所述第一层包括至少一种半导体材料; 和（ii）设置在所述衬底上的第一含Ge层，所述第一层包括含Ge材料，以及设置在所述第一层上的第二层，所述第二层包含至少一种半导体材料。 至少一些太阳能电池可以包括不同带隙值的半导体材料。