公开(公告)号：US6046117A

公开(公告)日：2000-04-04

申请号：US82865

申请日：1998-05-21

申请人： Theresia Bauer ,  Susanne Weizbauer ,  Hanns Wochner ,  Alfred Bergler

发明人： Theresia Bauer ,  Susanne Weizbauer ,  Hanns Wochner ,  Alfred Bergler

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/308

CPC分类号： H01L21/02019 ,  H01L21/30604 ,  Y02P80/30 ,  Y10S438/974

摘要： A process is taught for etching semiconductor wafers with an etching mixture comprising nitric and hydrofluoric acids and optionally a surfactant. To this mixture are added either more hydrofluoric acid, or more hydrofluoric and nitric acids, with the added acids having concentrations of at least 70% by weight. The use of concentrated acids reduces the loss of substrate material and extends etching bath life.

摘要翻译： 教导了用包括硝酸和氢氟酸以及任选的表面活性剂的蚀刻混合物蚀刻半导体晶片的方法。 向该混合物中加入更多的氢氟酸或更多的氢氟酸和硝酸，加入的酸的浓度至少为70重量％。 浓缩酸的使用减少了底物的损失，延长了蚀刻液的使用寿命。