公开(公告)号：US07132699B2

公开(公告)日：2006-11-07

申请号：US10764486

申请日：2004-01-27

申请人： Tokuharu Kimura ,  Toshihide Kikkawa

发明人： Tokuharu Kimura ,  Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L31/072

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

摘要： A compound semiconductor device has: a substrate; a GaN channel layer; an n-type AlqGa1−qN (0

摘要翻译： 化合物半导体器件具有：基板; GaN沟道层; n型Al x Ga 1-q N（0

公开(公告)号：US20070026552A1

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：US11541571

申请日：2006-10-03

申请人： Tokuharu Kimura ,  Toshihide Kikkawa

发明人： Tokuharu Kimura ,  Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

摘要： A compound semiconductor device has: a substrate; a GaN channel layer; an n-type AlqGal-qN (0

摘要翻译： 化合物半导体器件具有：基板; GaN沟道层; n型AlqGal-qN（0

公开(公告)号：US07407859B2

公开(公告)日：2008-08-05

申请号：US11541571

申请日：2006-10-03

申请人： Tokuharu Kimura ,  Toshihide Kikkawa

发明人： Tokuharu Kimura ,  Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L21/339 ,  H01L21/336 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

摘要： A compound semiconductor device has: a substrate; a GaN channel layer; an n-type AlqGal-qN (0

摘要翻译： 化合物半导体器件具有：基板; GaN沟道层; n型AlqGal-qN（0