公开(公告)号：US20100151692A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12634899

申请日：2009-12-10

申请人： Toshiaki ONO ,  Yumi HOSHINO

发明人： Toshiaki ONO ,  Yumi HOSHINO

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3225 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7847

摘要： A method of manufacturing an epitaxial wafer, including a silicon substrate having a surface sliced from single-crystalline silicon and a silicon epitaxial layer deposited on the surface of the silicon substrate, includes an oxygen concentration controlling heat treatment process in which a heat treatment of the epitaxial layer is performed under a non-oxidizing atmosphere after the epitaxial growth such that an oxygen concentration of the surface of the silicon epitaxial layer is set to 1.0×1017 to 12×1017 atoms/cm3 (ASTM F-121, 1979).

摘要翻译： 一种制造外延晶片的方法，包括具有从单晶硅切割的表面的硅衬底和沉积在硅衬底的表面上的硅外延层的硅衬底，包括氧浓度控制热处理工艺，其中， 在外延生长后，在非氧化性气氛下进行外延层，使得硅外延层的表面的氧浓度为1.0×10 17〜12×10 17原子/ cm 3（ASTM F-121,1979）。