公开(公告)号：US6080237A

公开(公告)日：2000-06-27

申请号：US93179

申请日：1998-06-08

申请人： Toshio Iwasaki ,  Shin-ichi Fujimoto ,  Hiroshi Isomura ,  Takayoshi Ishida ,  Michiharu Tamura ,  Atsushi Ikari

发明人： Toshio Iwasaki ,  Shin-ichi Fujimoto ,  Hiroshi Isomura ,  Takayoshi Ishida ,  Michiharu Tamura ,  Atsushi Ikari

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B15/36 ,  C30B29/06 ,  H01L21/208 ,  C30B15/20

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/36

摘要： This invention is directed to a method for the production of a dislocation-free silicon single crystal by the Czochralski method. This method attains growth of the main body part of the dislocation-free silicon single crystal by immersing a seed crystal in a melt of silicon and then pulling the seed crystal without recourse to the necking. The seed crystal thus used is a dislocation-free silicon single crystal. The horizontal maximum length of the part of the seed crystal being immersed in the melt at the time of completing the immersion of the seed crystal in the melt is not less than 5 mm. The immersing rate of the seed crystal in the melt is not more than 2.8 mm/min and the part of the seed crystal to be immersed in the melt is a crystal as grown.

摘要翻译： 本发明涉及一种通过Czochralski法生产无位错硅单晶的方法。 该方法通过将晶种浸入硅熔体中然后拉动籽晶而不求助于颈缩，从而实现了无位错硅单晶的主体部分的生长。 这样使用的晶种是无位错硅单晶。 在将晶种浸入熔体中浸入熔融物中的晶种部分的水平最大长度不小于5mm。 晶种在熔体中的浸入速率不超过2.8mm / min，浸入熔体中的晶种的一部分是生长晶体。