公开(公告)号：US5384480A

公开(公告)日：1995-01-24

申请号：US006923

申请日：1993-01-22

申请人： Shun-ichi Naka ,  Takayoshi Ishida

发明人： Shun-ichi Naka ,  Takayoshi Ishida

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L27/14 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0216 ,  H01L29/161 ,  H01L29/205 ,  H01L29/225 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L31/0203 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/02164

摘要： A clear-mold solid-state imaging device using a charge coupled device, in which a solid-state imaging device is molded with a transparent resin. The solid-state imaging device includes a surface having a light receiving section; a light shielding film provided over the surface; a transparent passivation film for protecting the light shielding film; and a moving ion blocking layer provided between the transparent passivation film and the transparent resin.

摘要翻译： 使用电荷耦合器件的透明模制固态成像器件，其中固态成像器件用透明树脂模制。 固态成像装置包括具有光接收部的表面; 设置在表面上的遮光膜; 用于保护遮光膜的透明钝化膜; 以及设置在透明钝化膜和透明树脂之间的移动离子阻挡层。

公开(公告)号：US6080237A

公开(公告)日：2000-06-27

申请号：US93179

申请日：1998-06-08

申请人： Toshio Iwasaki ,  Shin-ichi Fujimoto ,  Hiroshi Isomura ,  Takayoshi Ishida ,  Michiharu Tamura ,  Atsushi Ikari

发明人： Toshio Iwasaki ,  Shin-ichi Fujimoto ,  Hiroshi Isomura ,  Takayoshi Ishida ,  Michiharu Tamura ,  Atsushi Ikari

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B15/36 ,  C30B29/06 ,  H01L21/208 ,  C30B15/20

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/36

摘要： This invention is directed to a method for the production of a dislocation-free silicon single crystal by the Czochralski method. This method attains growth of the main body part of the dislocation-free silicon single crystal by immersing a seed crystal in a melt of silicon and then pulling the seed crystal without recourse to the necking. The seed crystal thus used is a dislocation-free silicon single crystal. The horizontal maximum length of the part of the seed crystal being immersed in the melt at the time of completing the immersion of the seed crystal in the melt is not less than 5 mm. The immersing rate of the seed crystal in the melt is not more than 2.8 mm/min and the part of the seed crystal to be immersed in the melt is a crystal as grown.

摘要翻译： 本发明涉及一种通过Czochralski法生产无位错硅单晶的方法。 该方法通过将晶种浸入硅熔体中然后拉动籽晶而不求助于颈缩，从而实现了无位错硅单晶的主体部分的生长。 这样使用的晶种是无位错硅单晶。 在将晶种浸入熔体中浸入熔融物中的晶种部分的水平最大长度不小于5mm。 晶种在熔体中的浸入速率不超过2.8mm / min，浸入熔体中的晶种的一部分是生长晶体。

公开(公告)号：US4700220A

公开(公告)日：1987-10-13

申请号：US756947

申请日：1985-07-19

申请人： Syoichi Yasuda ,  Akihira Tokuno ,  Akihiko Futada ,  Yoshiharu Hayashi ,  Kiyoshi Kobori ,  Takayoshi Ishida

发明人： Syoichi Yasuda ,  Akihira Tokuno ,  Akihiko Futada ,  Yoshiharu Hayashi ,  Kiyoshi Kobori ,  Takayoshi Ishida

IPC分类号： H04N9/07 ,  H04N9/04 ,  H04N9/077

CPC分类号： H04N9/045

摘要： A solid state color imaging sensor develops a green color signal and a red color signal in the first line of an odd field, and develops a green color signal and a blue color signal in the second line of the odd field. A first one line (1H) delay circuit is included in a signal processing circuit so as to produce a high frequency component signal of a luminance signal. A second one line (1H) delay circuit is included in the signal processing circuit so as to produce a low frequency component of the luminance signal and the color information signal.

摘要翻译： 固态彩色成像传感器在奇数场的第一行中产生绿色信号和红色信号，并且在奇数场的第二行中产生绿色信号和蓝色信号。 第一行（1H）延迟电路被包括在信号处理电路中，以产生亮度信号的高频分量信号。 在信号处理电路中包括第二个一行（1H）延迟电路，以产生亮度信号和颜色信息信号的低频分量。