公开(公告)号：US20110294290A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US13117489

申请日：2011-05-27

申请人： Toshiro NAKANISHI ,  Choong Man Lee

发明人： Toshiro NAKANISHI ,  Choong Man Lee

IPC分类号： H01L21/283

CPC分类号： H01L29/7926 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/7889

摘要： A three-dimensional semiconductor memory device includes a stacked structure including a plurality of conductive patterns, an active pillar penetrating the stacked structure, and a data storage pattern between the active pillar and the conductive patterns, wherein the active pillar includes a vertical semiconductor pattern penetrating the stacked structure and protruding semiconductor patterns between the vertical semiconductor pattern and the data storage pattern, the protruding semiconductor patterns having a different crystalline structure from that of the vertical semiconductor pattern.

摘要翻译： 一种三维半导体存储器件包括：堆叠结构，包括多个导电图案，穿透层叠结构的有源柱，以及有源柱和导电图案之间的数据存储图案，其中有源柱包括垂直半导体图案， 垂直半导体图案和数据存储图案之间的堆叠结构和突出的半导体图案，突出的半导体图案具有与垂直半导体图案不同的晶体结构。

公开(公告)号：US08673721B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US13117489

申请日：2011-05-27

申请人： Nakanishi Toshiro ,  Choong Man Lee

发明人： Nakanishi Toshiro ,  Choong Man Lee

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7926 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/7889

摘要： A three-dimensional semiconductor memory device includes a stacked structure including a plurality of conductive patterns, an active pillar penetrating the stacked structure, and a data storage pattern between the active pillar and the conductive patterns, wherein the active pillar includes a vertical semiconductor pattern penetrating the stacked structure and protruding semiconductor patterns between the vertical semiconductor pattern and the data storage pattern, the protruding semiconductor patterns having a different crystalline structure from that of the vertical semiconductor pattern.

摘要翻译： 一种三维半导体存储器件包括：堆叠结构，包括多个导电图案，穿透层叠结构的有源柱，以及有源柱和导电图案之间的数据存储图案，其中有源柱包括垂直半导体图案， 垂直半导体图案和数据存储图案之间的堆叠结构和突出的半导体图案，突出的半导体图案具有与垂直半导体图案不同的晶体结构。