公开(公告)号：US07141765B2

公开(公告)日：2006-11-28

申请号：US10473248

申请日：2002-03-20

申请人： Toshiyuki Makiya ,  Takanori Saito ,  Karuki Eickmann ,  Sanjeev Kaushal ,  Anthony Dip ,  David L. O'meara

发明人： Toshiyuki Makiya ,  Takanori Saito ,  Karuki Eickmann ,  Sanjeev Kaushal ,  Anthony Dip ,  David L. O'meara

IPC分类号： H05B1/02 ,  A21B1/00

CPC分类号： G01K7/04 ,  G01K1/20

摘要： A antireflective film 50 is formed on a thermocouple 42 arranged in a processing vessel 1 of a heat treatment apparatus in order to improve the transient response characteristics of the thermocouple 42. In a typical embodiment, the thermocouple 42 is made by connecting a platinum wire 43A and a platinum-rhodium alloy wire 43B, and the antireflective film 50 is composed by stacking a silicon nitride layer 50C, silicon layer 50B and a silicon nitride layer 50A in that order.

摘要翻译： 为了改善热电偶42的瞬态响应特性，在设置在热处理装置的处理容器1中的热电偶42上形成防反射膜50。 在一个典型的实施例中，热电偶42是通过连接铂线43A和铂 - 铑合金线43B制成的，并且抗反射膜50由叠氮化硅层50C，硅层50B和硅 氮化物层50A。