公开(公告)号：US20080169458A1

公开(公告)日：2008-07-17

申请号：US11723547

申请日：2007-03-20

申请人： Tseung-Yeun Tseng ,  Chun-chieh Lin ,  Chao-Cheng Lin

发明人： Tseung-Yeun Tseng ,  Chun-chieh Lin ,  Chao-Cheng Lin

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

摘要： Non-volatile memories formed on a substrate and fabrication methods are disclosed. A bottom electrode comprising a metal layer is disposed on the substrate. A buffer layer comprising a LaNiO3 film is disposed over the metal layer. A resistor layer comprising a SrZrO3 film is disposed on the buffer layer. A top electrode is disposed on the resistor layer.

摘要翻译： 公开了在基板上形成的非易失性存储器和制造方法。 包含金属层的底部电极设置在基板上。 包含LaNiO 3膜的缓冲层设置在金属层上。 包含SrZrO 3膜的电阻层设置在缓冲层上。 顶电极设置在电阻层上。