公开(公告)号：US20120122296A1

公开(公告)日：2012-05-17

申请号：US12947309

申请日：2010-11-16

申请人： Tuung LUOH ,  Ling-Wu YANG ,  Tahone YANG ,  Kuang-Chao CHEN

发明人： Tuung LUOH ,  Ling-Wu YANG ,  Tahone YANG ,  Kuang-Chao CHEN

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L21/76224

摘要： The method of forming a wordline is provided in the present invention. The proposed method includes steps of: (a) providing a plurality of SASTIs with a plurality of first POLY cells deposited thereon; and (b) depositing a first fill-in material having a relatively high etching rate oxide-like material in the plurality of SASTIs and on each side wall of the plurality of first POLY cells.

摘要翻译： 在本发明中提供了形成字线的方法。 所提出的方法包括以下步骤：（a）向多个SASTI提供多个沉积在其上的第一POLY单元; 和（b）在所述多个SASTI中和所述多个第一POLY电池的每个侧壁上沉积具有相对高蚀刻速率氧化物样材料的第一填充材料。

公开(公告)号：US20090061624A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：US11846900

申请日：2007-08-29

申请人： Chia-Wei WU ,  Ling-Wu YANG

发明人： Chia-Wei WU ,  Ling-Wu YANG

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144

摘要： A method of manufacturing an integrated circuit with a small pitch comprises providing a second material layer patterned to form at least two features with an opening between the features. The second material layer is formed over a first material layer and the first material layer is over a substrate. The method also comprises providing a first oxide layer to form a first sidewall surrounding each of the features, and providing a second oxide layer over the first sidewalls and the first material layer. A second sidewall is formed surrounding each of the features. The method further comprises providing a conductive layer over the second oxide layer and removing the conductive layer, the second sidewalls and the first material underneath the second sidewalls.

摘要翻译： 制造具有小间距的集成电路的方法包括提供图案化以形成具有特征之间的开口的至少两个特征的第二材料层。 第二材料层形成在第一材料层上并且第一材料层在衬底之上。 该方法还包括提供第一氧化物层以形成围绕每个特征的第一侧壁，以及在第一侧壁和第一材料层之上提供第二氧化物层。 形成围绕每个特征的第二侧壁。 该方法还包括在第二氧化物层上提供导电层，并移除第二侧壁下方的导电层，第二侧壁和第一材料。