公开(公告)号：US20130171803A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13775907

申请日：2013-02-25

申请人： Tze-Liang LEE ,  Pei-Ren JENG ,  Chu-Yun FU ,  Chyi Shyuan CHERN ,  Jui-Hei HUANG ,  Chih-Tang PENG ,  Hao-Ming LIEN

发明人： Tze-Liang LEE ,  Pei-Ren JENG ,  Chu-Yun FU ,  Chyi Shyuan CHERN ,  Jui-Hei HUANG ,  Chih-Tang PENG ,  Hao-Ming LIEN

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/76232

摘要： A method of fabricating an isolation structure including forming a trench in a top surface of a substrate and partially filling the trench with a first oxide, wherein the first oxide is a pure oxide. Partially filling the trench includes forming a liner layer in the trench and forming the first oxide over the liner layer using silane and oxygen precursors at a pressure less than 10 milliTorr (mTorr) and a temperature ranging from about 500° C. to about 1000° C. The method further includes producing a solid reaction product in a top portion of the first oxide. The method further includes sublimating the solid reaction product by heating the substrate in a chamber at a temperature from 100° C. to 200° C. and removing the sublimated solid reaction product by flowing a carrier gas over the substrate. The method further includes filling the trench with a second oxide.

摘要翻译： 一种制造隔离结构的方法，包括在衬底的顶表面中形成沟槽并用第一氧化物部分地填充沟槽，其中第一氧化物是纯氧化物。 部分地填充沟槽包括在沟槽中形成衬层，并且在低于10毫托（mTorr）的压力和约500℃至约1000℃的温度下使用硅烷和氧前体在衬层上形成第一氧化物 该方法还包括在第一氧化物的顶部产生固体反应产物。 该方法还包括通过在室内在100℃至200℃的温度下加热基底来升华固体反应产物，并通过使载气流过基底而除去升华的固体反应产物。 该方法还包括用第二氧化物填充沟槽。

公开(公告)号：US20100291751A1

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：US12774219

申请日：2010-05-05

申请人： Tze-Liang LEE ,  Pei-Ren JENG ,  Chu-Yun FU ,  Chyi Shyuan CHERN ,  Jui-Hei HUANG ,  Chih-Tang PENG ,  Hao-Ming LIEN

发明人： Tze-Liang LEE ,  Pei-Ren JENG ,  Chu-Yun FU ,  Chyi Shyuan CHERN ,  Jui-Hei HUANG ,  Chih-Tang PENG ,  Hao-Ming LIEN

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/76232

摘要： The invention relates to integrated circuit fabrication, and more particularly to an electronic device with an isolation structure made having almost no void. An exemplary method for fabricating an isolation structure, comprising: providing a substrate; forming a trench in the substrate; partially filling the trench with a first silicon oxide; exposing a surface of the first silicon oxide to a vapor mixture comprising NH3 and a fluorine-containing compound; heating the substrate to a temperature between 100° C. to 200° C.; and filling the trench with a second silicon oxide, whereby the isolation structure made has almost no void.

摘要翻译： 本发明涉及集成电路制造，更具体地说涉及具有几乎没有空隙的隔离结构的电子器件。 一种用于制造隔离结构的示例性方法，包括：提供衬底; 在衬底中形成沟槽; 用第一氧化硅部分地填充沟槽; 将第一氧化硅的表面暴露于包含NH 3和含氟化合物的蒸汽混合物中; 将基板加热至100℃至200℃的温度; 并用第二氧化硅填充沟槽，由此所制成的隔离结构几乎没有空隙。

公开(公告)号：US20130221443A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13407507

申请日：2012-02-28

申请人： Yu Chao LIN ,  Chih-Tang PENG ,  Shun-Hui YANG ,  Ryan Chia-Jen CHEN ,  Chao-Cheng CHEN

发明人： Yu Chao LIN ,  Chih-Tang PENG ,  Shun-Hui YANG ,  Ryan Chia-Jen CHEN ,  Chao-Cheng CHEN

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924

摘要： The disclosure relates to a fin field effect transistor (FinFET). An exemplary structure for a FinFET comprises a substrate comprising a major surface; a plurality of first trenches having a first width and extending downward from the substrate major surface to a first height, wherein a first space between adjacent first trenches defines a first fin; and a plurality of second trenches having a second width less than first width and extending downward from the substrate major surface to a second height greater than the first height, wherein a second space between adjacent second trenches defines a second fin.

摘要翻译： 本发明涉及鳍状场效应晶体管（FinFET）。 FinFET的示例性结构包括：包括主表面的衬底; 多个第一沟槽，具有第一宽度并从所述衬底主表面向下延伸到第一高度，其中相邻第一沟槽之间的第一空间限定第一鳍片; 以及多个第二沟槽，其具有小于第一宽度的第二宽度并且从所述衬底主表面向下延伸到大于所述第一高度的第二高度，其中相邻第二沟槽之间的第二空间限定第二鳍片。