公开(公告)号：US20050180205A1

公开(公告)日：2005-08-18

申请号：US11025841

申请日：2004-12-30

申请人： Wan-jun Park ,  Tae-wan Kim ,  Sang-jin Park ,  Dae-jeong Kim ,  Seung-jun Lee ,  Hyung-soon Shin

发明人： Wan-jun Park ,  Tae-wan Kim ,  Sang-jin Park ,  Dae-jeong Kim ,  Seung-jun Lee ,  Hyung-soon Shin

IPC分类号： G11C11/15 ,  G11C7/06 ,  G11C7/14 ,  G11C11/16 ,  G11C11/14

CPC分类号： G11C7/14 ,  G11C7/062 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673

摘要： In a magnetic random access memory (MRAM), and a method of reading data from the same, the MRAM includes a memory cell having one transistor and one magnetic tunneling junction (MTJ) layer, and a reference cell that is operable for use as a basis when reading data stored in the memory cell, wherein the reference cell includes first and second MTJ layers provided in parallel to each other, and first and second transistors provided in parallel to each other, the first and second transistors being respectively connected in series to the first and second MTJ layers. Alternatively, one transistor having a driving capability corresponding to twice a driving capability of the transistor of the memory cell may be substituted for the first and second transistors of the reference cell.

摘要翻译： 在磁性随机存取存储器（MRAM）中，以及从其读取数据的方法，MRAM包括具有一个晶体管和一个磁性隧道结（MTJ）层的存储单元，以及可操作用作 读取存储在存储单元中的数据的基础，其中参考单元包括彼此并联设置的第一和第二MTJ层，以及彼此并联设置的第一和第二晶体管，第一和第二晶体管分别串联连接到 第一和第二MTJ层。 或者，具有对应于存储器单元的晶体管的驱动能力的两倍的驱动能力的一个晶体管可以代替参考单元的第一和第二晶体管。

公开(公告)号：US08320166B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US12230855

申请日：2008-09-05

申请人： Wan-jun Park ,  Tae-wan Kim ,  Sang-jin Park ,  Dae-jeong Kim ,  Seung-jun Lee ,  Hyung-soon Shin

发明人： Wan-jun Park ,  Tae-wan Kim ,  Sang-jin Park ,  Dae-jeong Kim ,  Seung-jun Lee ,  Hyung-soon Shin

IPC分类号： G11C11/14 ,  G11C11/15 ,  G11C7/14

CPC分类号： G11C7/14 ,  G11C7/062 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673

摘要： A magnetic random access memory (MRAM) includes a memory cell having a first transistor and a first magnetic tunneling junction (MTJ) layer, and a reference cell operable as a basis when reading data stored in the memory cell, the reference cell including second and third MTJ layers arranged in parallel to each other, and a second transistor connected in series to each of the second and third MTJ layers, the second transistor having a driving capability corresponding to twice a driving capability of the first transistor of the memory cell.

摘要翻译： 磁性随机存取存储器（MRAM）包括具有第一晶体管和第一磁性隧道结（MTJ）层的存储单元，以及参考单元，可以在读取存储在存储单元中的数据时作为基础，参考单元包括第二和 第三MTJ层彼此平行排列，以及与第二和第三MTJ层中的每一个串联连接的第二晶体管，第二晶体管具有对应于存储单元的第一晶体管的驱动能力的两倍的驱动能力。

公开(公告)号：US20090067233A1

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：US12230855

申请日：2008-09-05

申请人： Wan-jun Park ,  Tae-wan Kim ,  Sang-jin Park ,  Dae-jeong Kim ,  Seung-jun Lee ,  Hyung-soon Shin

发明人： Wan-jun Park ,  Tae-wan Kim ,  Sang-jin Park ,  Dae-jeong Kim ,  Seung-jun Lee ,  Hyung-soon Shin

IPC分类号： G11C11/14 ,  G11C7/14 ,  G11C11/409

CPC分类号： G11C7/14 ,  G11C7/062 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673

摘要： A magnetic random access memory (MRAM) includes a memory cell having a first transistor and a first magnetic tunneling junction (MTJ) layer, and a reference cell operable as a basis when reading data stored in the memory cell, the reference cell including second and third MTJ layers arranged in parallel to each other, and a second transistor connected in series to each of the second and third MTJ layers, the second transistor having a driving capability corresponding to twice a driving capability of the first transistor of the memory cell.

摘要翻译： 磁性随机存取存储器（MRAM）包括具有第一晶体管和第一磁性隧道结（MTJ）层的存储单元，以及参考单元，可以在读取存储在存储单元中的数据时作为基础，参考单元包括第二和 第三MTJ层彼此平行排列，以及与第二和第三MTJ层中的每一个串联连接的第二晶体管，第二晶体管具有对应于存储单元的第一晶体管的驱动能力的两倍的驱动能力。