公开(公告)号：US20120267595A1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：US13093149

申请日：2011-04-25

申请人： Weiwei Lina FANG ,  Yee Chia YEO ,  Rong ZHAO ,  Luping SHI

发明人： Weiwei Lina FANG ,  Yee Chia YEO ,  Rong ZHAO ,  Luping SHI

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/8239

CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2454 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1666

摘要： According to embodiments of the present invention, a memory component is provided. The memory component includes a storage component comprising a resistance changing material; and an electrical contact coupled to the storage component, wherein the electrical contact comprises silicide, wherein the memory component is free of a metal layer between the storage component and the electrical contact, and wherein the electrical contact is free of a metal layer.

摘要翻译： 根据本发明的实施例，提供了一种存储器组件。 存储器组件包括包括电阻改变材料的存储部件; 以及耦合到所述存储部件的电触点，其中所述电触点包括硅化物，其中所述存储组件在所述存储部件和所述电触点之间不含金属层，并且其中所述电触点不含金属层。