公开(公告)号：US20100308796A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12628827

申请日：2009-12-01

申请人： Wen Yaw Chung ,  Shao Chun Cheng ,  Chiung Cheng Chuang ,  Febus Reidj Guinto Cruz ,  Pijanowska Genowefa Dorota

发明人： Wen Yaw Chung ,  Shao Chun Cheng ,  Chiung Cheng Chuang ,  Febus Reidj Guinto Cruz ,  Pijanowska Genowefa Dorota

IPC分类号： G01R19/00

CPC分类号： G01N27/3273

摘要： A signal readout circuit comprises a first amplifier, a second amplifier and first to fourth transistors. The signal readout circuit has a first electrode, a second electrode, and a third electrode. The signal readout circuit applied in a wide current-sensing range of amperometric chemical sensing. The readout circuit may be applied in electrochemical sensing such as glucose, so as to read out a current signal of an amperometric sensor. Through a design of low input impedance, sensing signals in a wide current range can be sensed in the readout circuit. Also, a current mirror structure is used to copy the input current to an output current, such that an output signal range of the output signals of the current circuit is not limited by a supplied voltage.

摘要翻译： 信号读出电路包括第一放大器，第二放大器和第一至第四晶体管。 信号读出电路具有第一电极，第二电极和第三电极。 信号读出电路应用在电流敏感化学传感的宽电流感应范围内。 读出电路可以应用于诸如葡萄糖的电化学感测中，以便读出电流传感器的电流信号。 通过低输入阻抗的设计，可以在读出电路中检测宽电流范围内的感测信号。 此外，使用电流镜结构将输入电流复制到输出电流，使得电流电路的输出信号的输出信号范围不受提供的电压的限制。

公开(公告)号：US06236075B1

公开(公告)日：2001-05-22

申请号：US09266420

申请日：1999-03-10

申请人： Shen-Kan Hsiung ,  Jung-Chuan Chou ,  Tai-Ping Sun ,  Wen Yaw Chung ,  Hung-Kwei Liao ,  Chung-Lin Wu

发明人： Shen-Kan Hsiung ,  Jung-Chuan Chou ,  Tai-Ping Sun ,  Wen Yaw Chung ,  Hung-Kwei Liao ,  Chung-Lin Wu

IPC分类号： H01L2358

CPC分类号： G01N27/414

摘要： The present invention discloses a method of forming a metal layer by thermal evaporation or RF reactive sputtering in order to fabricate a light shielding layer for an ion sensitive field effect transistor. The multi-layered construction of the ion sensitive field effect transistor with a metal thin film as a light shielding layer is SnO2/metal/SiO2 or SnO2/metal/Si3N4/SiO2, and is able to lower the effect of light successfully.

摘要翻译： 本发明公开了一种通过热蒸镀或RF反应溅射形成金属层的方法，以制造用于离子敏感场效应晶体管的遮光层。 具有金属薄膜作为遮光层的离子敏感场效应晶体管的多层结构是SnO 2 /金属/ SiO 2或SnO 2 /金属/ Si 3 N 4 / SiO 2，并且能够成功地降低光的效果。