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1.发明申请FLASH MEMORY DEVICE WITH MULTI-LEVEL CELLS AND METHOD OF WRITING DATA THEREIN 审中-公开具有多级电池的闪存存储器件和写入数据的方法公开(公告)号：US20120159054A1
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：US13406862
申请日：2012-02-28
申请人： Won-Moon Cheon , Seon-Taek Kim , Chan-Ik Park , Sung-up Choi
发明人： Won-Moon Cheon , Seon-Taek Kim , Chan-Ik Park , Sung-up Choi
IPC分类号： G06F12/02
CPC分类号： G06F3/0613 , G06F3/0631 , G06F3/0632 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F2212/1021 , G06F2212/2022 , G06F2212/7202 , G06F2212/7208 , G11C2211/5641
摘要： In one aspect, a method of writing data in a flash memory system is provided. The flash memory system forms an address mapping pattern according to a log block mapping scheme. The method includes determining a writing pattern of data to be written in a log block, and allocating one of SLC and MLC blocks to the log block in accordance with the writing pattern of the data.
摘要翻译： 一方面，提供一种在闪存系统中写入数据的方法。 闪存系统根据日志块映射方案形成地址映射模式。 该方法包括确定要写入日志块的数据的写入模式，并根据数据的写入模式将SLC和MLC块中的一个分配给对数块。
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2.发明授权Flash memory device with multi-level cells and method of writing data therein 有权具有多级单元的闪存设备及其中写入数据的方法公开(公告)号：US07970981B2
公开(公告)日：2011-06-28
申请号：US11702573
申请日：2007-02-06
申请人： Won-Moon Cheon , Seon-Taek Kim , Chan-Ik Park , Sung-up Choi
发明人： Won-Moon Cheon , Seon-Taek Kim , Chan-Ik Park , Sung-up Choi
CPC分类号： G06F3/0613 , G06F3/0631 , G06F3/0632 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F2212/1021 , G06F2212/2022 , G06F2212/7202 , G06F2212/7208 , G11C2211/5641
摘要： In one aspect, a method of writing data in a flash memory system is provided. The flash memory system forms an address mapping pattern according to a log block mapping scheme. The method includes determining a writing pattern of data to be written in a log block, and allocating one of SLC and MLC blocks to the log block in accordance with the writing pattern of the data.
摘要翻译： 一方面，提供一种在闪存系统中写入数据的方法。 闪存系统根据日志块映射方案形成地址映射模式。 该方法包括确定要写入日志块的数据的写入模式，并根据数据的写入模式将SLC和MLC块中的一个分配给对数块。
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3.发明申请Flash memory device with multi-level cells and method of writing data therein 有权具有多级单元的闪存设备及其中写入数据的方法公开(公告)号：US20080104309A1
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：US11702573
申请日：2007-02-06
申请人： Won-Moon Cheon , Seon-Taek Kim , Chan-Ik Park , Sung-up Choi
发明人： Won-Moon Cheon , Seon-Taek Kim , Chan-Ik Park , Sung-up Choi
IPC分类号： G06F12/06
CPC分类号： G06F3/0613 , G06F3/0631 , G06F3/0632 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F2212/1021 , G06F2212/2022 , G06F2212/7202 , G06F2212/7208 , G11C2211/5641
摘要： In one aspect, a method of writing data in a flash memory system is provided. The flash memory system forms an address mapping pattern according to a log block mapping scheme. The method includes determining a writing pattern of data to be written in a log block, and allocating one of SLC and MLC blocks to the log block in accordance with the writing pattern of the data.
摘要翻译： 一方面，提供一种在闪存系统中写入数据的方法。 闪存系统根据日志块映射方案形成地址映射模式。 该方法包括确定要写入日志块的数据的写入模式，并根据数据的写入模式将SLC和MLC块中的一个分配给对数块。
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4.发明授权Flash memory device with multi-level cells and method of writing data therein 有权具有多级单元的闪存设备及其中写入数据的方法公开(公告)号：US08843699B2
公开(公告)日：2014-09-23
申请号：US13777816
申请日：2013-02-26
申请人： Won-Moon Cheon , Seon-Taek Kim , Chan-Ik Park , Sung-up Choi
发明人： Won-Moon Cheon , Seon-Taek Kim , Chan-Ik Park , Sung-up Choi
CPC分类号： G06F3/0613 , G06F3/0631 , G06F3/0632 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F2212/1021 , G06F2212/2022 , G06F2212/7202 , G06F2212/7208 , G11C2211/5641
摘要： In one aspect, a method of writing data in a flash memory system is provided. The flash memory system forms an address mapping pattern according to a log block mapping scheme. The method includes determining a writing pattern of data to be written in a log block, and allocating one of SLC and MLC blocks to the log block in accordance with the writing pattern of the data.
摘要翻译： 一方面，提供一种在闪存系统中写入数据的方法。 闪存系统根据日志块映射方案形成地址映射模式。 该方法包括确定要写入日志块的数据的写入模式，并根据数据的写入模式将SLC和MLC块中的一个分配给对数块。
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公开(公告)号：US20130173857A1
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：US13777816
申请日：2013-02-26
申请人： Won-Moon Cheon , Seon-Taek Kim , Chan-Ik Park , Sung-up Choi
发明人： Won-Moon Cheon , Seon-Taek Kim , Chan-Ik Park , Sung-up Choi
IPC分类号： G06F12/02
CPC分类号： G06F3/0613 , G06F3/0631 , G06F3/0632 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F2212/1021 , G06F2212/2022 , G06F2212/7202 , G06F2212/7208 , G11C2211/5641
摘要： In one aspect, a method of writing data in a flash memory system is provided. The flash memory system forms an address mapping pattern according to a log block mapping scheme. The method includes determining a writing pattern of data to be written in a log block, and allocating one of SLC and MLC blocks to the log block in accordance with the writing pattern of the data.
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6.发明申请FLASH MEMORY DEVICE WITH MULTI-LEVEL CELLS AND METHOD OF WRITING DATA THEREIN 审中-公开具有多级电池的闪存存储器件和写入数据的方法公开(公告)号：US20110219180A1
公开(公告)日：2011-09-08
申请号：US13110572
申请日：2011-05-18
申请人： Won-Moon Cheon , Seon-Taek Kim , Chan-Ik Park , Sung-up Choi
发明人： Won-Moon Cheon , Seon-Taek Kim , Chan-Ik Park , Sung-up Choi
IPC分类号： G06F12/02
CPC分类号： G06F3/0613 , G06F3/0631 , G06F3/0632 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F2212/1021 , G06F2212/2022 , G06F2212/7202 , G06F2212/7208 , G11C2211/5641
摘要： In one aspect, a method of writing data in a flash memory system is provided. The flash memory system forms an address mapping pattern according to a log block mapping scheme. The method includes determining a writing pattern of data to be written in a log block, and allocating one of SLC and MLC blocks to the log block in accordance with the writing pattern of the data.
摘要翻译： 一方面，提供一种在闪存系统中写入数据的方法。 闪存系统根据日志块映射方案形成地址映射模式。 该方法包括确定要写入日志块的数据的写入模式，并根据数据的写入模式将SLC和MLC块中的一个分配给对数块。
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