公开(公告)号：US20130045586A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：US13695517

申请日：2012-03-16

申请人： Xiangyang Ma ,  Ze Xu ,  Biao Wang ,  Deren Yang

发明人： Xiangyang Ma ,  Ze Xu ,  Biao Wang ,  Deren Yang

IPC分类号： H01L21/322

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/3225

摘要： An internal gettering process for a Czochralski silicon wafers comprises: (1) heating a Cz silicon wafer to 1200-1250° C. at a heating rate of 50-100° C./s under a nitrogen atmosphere, maintaining for 30-150 seconds, cooling the Cz silicon wafer to 800-1000° C. first at a cooling rate of 5-50° C./s, and then cooling the Cz silicon wafer naturally; (2) annealing the Cz silicon wafer obtained in the step (1) at 800-900° C. under an argon atmosphere for a period of 8-16 hours. The present invention only involves two heat treatment steps which require lower temperature and shorter time comparing to the conventional processes. The density of the bulk microdefects and the width of the denuded zone can be easily controlled by the temperature, duration and cooling rate of rapid thermal processing in the first step.

摘要翻译： Czochralski硅晶片的内部吸杂方法包括：（1）在氮气气氛下，以50-100℃/ s的加热速率将Cz硅晶片加热至1200-1250℃，保持30-150秒 ，首先以5-50℃/ s的冷却速度将Cz硅晶片冷却至800-1000℃，然后自然冷却Cz硅晶片; （2）在800-900℃，氩气氛下将步骤（1）中获得的Cz硅晶片退火8-16小时。 本发明仅涉及两个热处理步骤，与常规方法相比，需要较低的温度和较短的时间。 散装微缺陷的密度和剥离区的宽度可以通过第一步中快速热处理的温度，持续时间和冷却速度容易地控制。

公开(公告)号：US08466043B2

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US13695517

申请日：2012-03-16

申请人： Xiangyang Ma ,  Ze Xu ,  Biao Wang ,  Deren Yang

发明人： Xiangyang Ma ,  Ze Xu ,  Biao Wang ,  Deren Yang

IPC分类号： H01L21/324

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/3225

摘要： An internal gettering process for a Czochralski silicon wafers comprises: (1) heating a Cz silicon wafer to 1200-1250° C. at a heating rate of 50-100° C./s under a nitrogen atmosphere, maintaining for 30-150 seconds, cooling the Cz silicon wafer to 800-1000° C. first at a cooling rate of 5-50° C./s, and then cooling the Cz silicon wafer naturally; (2) annealing the Cz silicon wafer obtained in the step (1) at 800-900° C. under an argon atmosphere for a period of 8-16 hours. The present invention only involves two heat treatment steps which require lower temperature and shorter time comparing to the conventional processes. The density of the bulk microdefects and the width of the denuded zone can be easily controlled by the temperature, duration and cooling rate of rapid thermal processing in the first step.

摘要翻译： Czochralski硅晶片的内部吸杂方法包括：（1）在氮气气氛下，以50-100℃/ s的加热速率将Cz硅晶片加热至1200-1250℃，保持30-150秒 ，首先以5-50℃/ s的冷却速度将Cz硅晶片冷却至800-1000℃，然后自然冷却Cz硅晶片; （2）在800-900℃，氩气氛下将步骤（1）中获得的Cz硅晶片退火8-16小时。 本发明仅涉及两个热处理步骤，与常规方法相比，需要较低的温度和较短的时间。 散装微缺陷的密度和剥离区的宽度可以通过第一步中快速热处理的温度，持续时间和冷却速度容易地控制。