公开(公告)号：US20130075856A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13246495

申请日：2011-09-27

申请人： Yao-Jen Tsai ,  Chih-Fu Chang ,  Chih-Kang Chuang ,  Yee-Ren Wuang ,  David Yen ,  Yuan-Jen Liao ,  Shih-Che Fang ,  Hung-Che Hsueh ,  Chih Mou Huang

发明人： Yao-Jen Tsai ,  Chih-Fu Chang ,  Chih-Kang Chuang ,  Yee-Ren Wuang ,  David Yen ,  Yuan-Jen Liao ,  Shih-Che Fang ,  Hung-Che Hsueh ,  Chih Mou Huang

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L27/0251

摘要： An embodiment is an integrated circuit (IC) structure. The structure comprises a deep n well in a substrate, a first pickup device in the deep n well, a first signal device in the deep n well, a dissipation device in the substrate, a second signal device in the substrate, a first electrical path between the first pickup device and the dissipation device, and a second electrical path between the first signal device and the second signal device. The dissipation device is outside of the deep n well, and the second signal device is outside of the deep n well. A highest point of the first electrical path is lower than a highest point of the second electrical path.

摘要翻译： 一个实施例是集成电路（IC）结构。 该结构包括衬底中的深n阱，深n阱中的第一拾取装置，深n阱中的第一信号装置，衬底中的耗散装置，衬底中的第二信号装置，第一电路 在第一拾取装置和耗散装置之间，以及在第一信号装置和第二信号装置之间的第二电路径。 耗散装置在深n井外，第二信号装置在深n井外。 第一电路的最高点低于第二电路的最高点。

公开(公告)号：US08736015B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US13246495

申请日：2011-09-27

申请人： Yao-Jen Tsai ,  Chih-Fu Chang ,  Chih-Kang Chuang ,  Yee-Ren Wuang ,  David Yen ,  Yuan-Jen Liao ,  Shih-Che Fang ,  Hung-Che Hsueh ,  Chih Mou Huang

发明人： Yao-Jen Tsai ,  Chih-Fu Chang ,  Chih-Kang Chuang ,  Yee-Ren Wuang ,  David Yen ,  Yuan-Jen Liao ,  Shih-Che Fang ,  Hung-Che Hsueh ,  Chih Mou Huang

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L27/0251

摘要： An embodiment is an integrated circuit (IC) structure. The structure comprises a deep n well in a substrate, a first pickup device in the deep n well, a first signal device in the deep n well, a dissipation device in the substrate, a second signal device in the substrate, a first electrical path between the first pickup device and the dissipation device, and a second electrical path between the first signal device and the second signal device. The dissipation device is outside of the deep n well, and the second signal device is outside of the deep n well. A highest point of the first electrical path is lower than a highest point of the second electrical path.

摘要翻译： 一个实施例是集成电路（IC）结构。 该结构包括衬底中的深n阱，深n阱中的第一拾取装置，深n阱中的第一信号装置，衬底中的耗散装置，衬底中的第二信号装置，第一电路 在第一拾取装置和耗散装置之间，以及在第一信号装置和第二信号装置之间的第二电路径。 耗散装置在深n井外，第二信号装置在深n井外。 第一电路的最高点低于第二电路的最高点。