公开(公告)号：US20120032135A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US13276084

申请日：2011-10-18

申请人： Bong-Jin KUH ,  Yong-Ho HA ,  Doo-Hwan PARK ,  Han-Bong KO ,  Sang-Wook LIM ,  Hee-Ju SHIN

发明人： Bong-Jin KUH ,  Yong-Ho HA ,  Doo-Hwan PARK ,  Han-Bong KO ,  Sang-Wook LIM ,  Hee-Ju SHIN

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C2213/35 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1658 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

摘要： A phase-change material layer is formed on the lower electrode using a chalcogenide compound doped with carbon, or carbon and nitrogen. A phase-change material layer is obtained by doping a stabilizing metal into the preliminary phase-change material layer. An upper electrode is formed on the phase-change material layer. Since the phase-change material layer may have improved electrical characteristics, stability of phase transition and thermal stability, the phase-change memory unit may have reduced set resistance, enhanced durability, improved reliability, increased sensing margin, reduced driving current, etc.

摘要翻译： 使用掺杂有碳或碳和氮的硫属化物化合物在下电极上形成相变材料层。 通过将稳定金属掺杂到初始相变材料层中来获得相变材料层。 在相变材料层上形成上电极。 由于相变材料层可能具有改善的电特性，相变稳定性和热稳定性，所以相变存储单元可以具有降低的设定电阻，增强的耐久性，改善的可靠性，增加的感测裕度，降低的驱动电流等。

公开(公告)号：US20120142161A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13368852

申请日：2012-02-08

申请人： Yong-Ho HA ,  Bong-Jin KUH ,  Han-Bong KO ,  Doo-Hwan PARK ,  Sang-Wook LIM ,  Hee-Ju SHIN

发明人： Yong-Ho HA ,  Bong-Jin KUH ,  Han-Bong KO ,  Doo-Hwan PARK ,  Sang-Wook LIM ,  Hee-Ju SHIN

IPC分类号： H01L21/62

CPC分类号： H01L45/06 ,  C04B35/56 ,  C04B35/573 ,  C04B2235/3817 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/428 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

摘要： A method of manufacturing a phase-change memory device comprises forming a contact region on a substrate, forming a lower electrode electrically connected to the contact region, forming a phase-change material layer on the lower electrode using a chalcogenide compound target including carbon and metal, or carbon, nitrogen and metal, and forming an upper electrode on the phase-change material layer.

摘要翻译： 一种相变存储器件的制造方法，包括：在基板上形成接触区域，形成与所述接触区域电连接的下部电极，使用包含碳和金属的硫属化物化合物靶，在所述下部电极上形成相变材料层 ，或碳，氮和金属，并且在相变材料层上形成上电极。