公开(公告)号：US07315063B2

公开(公告)日：2008-01-01

申请号：US11363176

申请日：2006-02-28

申请人： Young-eun Lee ,  Seong-ghil Lee ,  Yu-gyun Shin ,  Jong-wook Lee ,  Young-pil Kim

发明人： Young-eun Lee ,  Seong-ghil Lee ,  Yu-gyun Shin ,  Jong-wook Lee ,  Young-pil Kim

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： A CMOS transistor structure and related method of manufacture are disclosed in which a first conductivity type MOS transistor comprises an enhancer and a second conductivity type MOS transistor comprises a second spacer formed of the same material as the enhancer. The second conductivity type MOS transistor also comprises a source/drain region formed in relation to an epitaxial layer formed in a recess region.

摘要翻译： 公开了一种CMOS晶体管结构及相关的制造方法，其中第一导电型MOS晶体管包括增强器，第二导电类型MOS晶体管包括由与增强器相同的材料形成的第二间隔物。 第二导电型MOS晶体管还包括相对于形成在凹陷区域中的外延层形成的源极/漏极区域。

公开(公告)号：US20060292783A1

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：US11363176

申请日：2006-02-28

申请人： Young-eun Lee ,  Seong-ghil Lee ,  Yu-gyun Shin ,  Jong-wook Lee ,  Young-pil Kim

发明人： Young-eun Lee ,  Seong-ghil Lee ,  Yu-gyun Shin ,  Jong-wook Lee ,  Young-pil Kim

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L29/80

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： A CMOS transistor structure and related method of manufacture are disclosed in which a first conductivity type MOS transistor comprises an enhancer and a second conductivity type MOS transistor comprises a second spacer formed of the same material as the enhancer. The second conductivity type MOS transistor also comprises a source/drain region formed in relation to an epitaxial layer formed in a recess region.

摘要翻译： 公开了一种CMOS晶体管结构及相关的制造方法，其中第一导电型MOS晶体管包括增强器，第二导电类型MOS晶体管包括由与增强器相同的材料形成的第二间隔物。 第二导电型MOS晶体管还包括相对于形成在凹陷区域中的外延层形成的源极/漏极区域。