公开(公告)号：US20100029035A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12511812

申请日：2009-07-29

申请人： Yu-Ling Chin ,  Li-Pin Jou ,  Yu-Chih Yang ,  Yu-Cheng Yang ,  Wei-Shou Chen ,  Cheng-Ta Kuo

发明人： Yu-Ling Chin ,  Li-Pin Jou ,  Yu-Chih Yang ,  Yu-Cheng Yang ,  Wei-Shou Chen ,  Cheng-Ta Kuo

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L33/0095 ,  H01L31/022425 ,  H01L33/44 ,  H01S5/0425 ,  Y02E10/50

摘要： This application discloses a method of manufacturing a photoelectronic device comprising steps of providing a semiconductor stack layer, forming at least one metal adhesive on the semiconductor stack layer by a printing technology, forming an electrode by heating the metal adhesive to remove the solvent in the metal adhesive, wherein an ohmic contact is formed between the electrode and the semiconductor stack layer.

摘要翻译： 本申请公开了一种制造光电子器件的方法，包括以下步骤：提供半导体堆叠层，通过印刷技术在半导体堆叠层上形成至少一种金属粘合剂，通过加热金属粘合剂以除去金属中的溶剂形成电极 粘合剂，其中在电极和半导体叠层之间形成欧姆接触。

公开(公告)号：US07888162B2

公开(公告)日：2011-02-15

申请号：US12511812

申请日：2009-07-29

申请人： Yu-Ling Chin ,  Li-Pin Jou ,  Yu-Chih Yang ,  Yu-Cheng Yang ,  Wei-Shou Chen ,  Cheng-Ta Kuo

发明人： Yu-Ling Chin ,  Li-Pin Jou ,  Yu-Chih Yang ,  Yu-Cheng Yang ,  Wei-Shou Chen ,  Cheng-Ta Kuo

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L33/0095 ,  H01L31/022425 ,  H01L33/44 ,  H01S5/0425 ,  Y02E10/50

摘要： This application discloses a method of manufacturing a photoelectronic device comprising steps of providing a semiconductor stack layer, forming at least one metal adhesive on the semiconductor stack layer by a printing technology, forming an electrode by heating the metal adhesive to remove the solvent in the metal adhesive, wherein an ohmic contact is formed between the electrode and the semiconductor stack layer.

摘要翻译： 本申请公开了一种制造光电子器件的方法，包括以下步骤：提供半导体堆叠层，通过印刷技术在半导体堆叠层上形成至少一种金属粘合剂，通过加热金属粘合剂以除去金属中的溶剂形成电极 粘合剂，其中在电极和半导体叠层之间形成欧姆接触。