公开(公告)号：US20120056273A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：US13219007

申请日：2011-08-26

申请人： Yuji Ishii ,  Yuji Ibusuki ,  Hideki Tanaka ,  Kentaro Kasai

发明人： Yuji Ishii ,  Yuji Ibusuki ,  Hideki Tanaka ,  Kentaro Kasai

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8232

CPC分类号： H01L27/0705 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/78

摘要： A semiconductor device includes: a first transistor formed on a semiconductor substrate; and a second transistor formed above the semiconductor substrate with an insulation film interposed therebetween. The first transistor includes a first body region formed on a surface of the semiconductor substrate, and a first source region and a first drain region formed so as to sandwich the first body region, the second transistor includes a semiconductor layer formed on the insulation film, a second body region formed in a part of the semiconductor layer, a second source region and a second drain region formed so as to sandwich the second body region in the semiconductor layer, agate insulation film formed on the body region of the semiconductor layer, and agate electrode formed on the gate insulation film, and the second drain region is disposed on the first body region.

摘要翻译： 半导体器件包括：形成在半导体衬底上的第一晶体管; 以及形成在半导体衬底上方的绝缘膜之间的第二晶体管。 第一晶体管包括形成在半导体衬底的表面上的第一体区和形成为夹住第一体区的第一源区和第一漏区，第二晶体管包括形成在绝缘膜上的半导体层， 形成在半导体层的一部分中的第二体区，形成为将半导体层中的第二体区夹持的第二源极区和第二漏极区，形成在半导体层的体区的玛瑙绝缘膜，以及 形成在栅极绝缘膜上的玛瑙电极，并且第二漏极区域设置在第一体区域上。

公开(公告)号：US20090097177A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：US12283681

申请日：2008-09-15

申请人： Hideki Mori ,  Kentaro Kasai

发明人： Hideki Mori ,  Kentaro Kasai

IPC分类号： H02H9/00 ,  H01L23/62

CPC分类号： H01L27/0251

摘要： An electrostatic protection circuit includes a first impurity region, a second impurity region, a first electrode, a third impurity region, a fourth impurity region, a second electrode, a fifth impurity region, a sixth impurity region, a third electrode, a gate insulating film, and a fourth electrode.

摘要翻译： 静电保护电路包括第一杂质区，第二杂质区，第一电极，第三杂质区，第四杂质区，第二电极，第五杂质区，第六杂质区，第三电极，栅极绝缘 薄膜和第四电极。

公开(公告)号：US07944657B2

公开(公告)日：2011-05-17

申请号：US12283681

申请日：2008-09-15

申请人： Hideki Mori ,  Kentaro Kasai

发明人： Hideki Mori ,  Kentaro Kasai

IPC分类号： H02H9/00 ,  H01C7/12 ,  H02H1/00 ,  H02H1/04 ,  H02H3/22 ,  H02H9/06

CPC分类号： H01L27/0251

摘要： An electrostatic protection circuit includes a first impurity region, a second impurity region, a first electrode, a third impurity region, a fourth impurity region, a second electrode, a fifth impurity region, a sixth impurity region, a third electrode, a gate insulating film, and a fourth electrode.

摘要翻译： 静电保护电路包括第一杂质区，第二杂质区，第一电极，第三杂质区，第四杂质区，第二电极，第五杂质区，第六杂质区，第三电极，栅极绝缘 薄膜和第四电极。