公开(公告)号：US07754585B2

公开(公告)日：2010-07-13

申请号：US10433314

申请日：2001-12-21

申请人： Yuji Sato ,  Shirou Yoshino ,  Hiroshi Furukawa ,  Hiroyuki Matsuyama

发明人： Yuji Sato ,  Shirou Yoshino ,  Hiroshi Furukawa ,  Hiroyuki Matsuyama

IPC分类号： H01L21/322

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/3225 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66507

摘要： A method of subjecting a silicon wafer doped with boron to a heat treatment in an argon atmosphere, wherein the argon atmosphere is replaced with a hydrogen atmosphere or a mixed gas of an argon gas and a hydrogen gas in a proper fashion, to thereby uniformize a boron concentration in the thickness direction of the surface layer of the silicon wafer doped with boron.

摘要翻译： 在氩气气氛中对掺杂有硼的硅晶片进行热处理的方法，其中氩气氛以氢气氛或氩气和氢气的混合气体以适当的方式代替，从而使 在掺杂硼的硅晶片的表面层的厚度方向上的硼浓度。