公开(公告)号：US20090278170A1

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：US12116231

申请日：2008-05-07

申请人： Yun-Chi Yang ,  Jih-Shun Chiang ,  Cheng-Li Lin ,  Ju-Ping Chen ,  Kuan-Cheng Su

发明人： Yun-Chi Yang ,  Jih-Shun Chiang ,  Cheng-Li Lin ,  Ju-Ping Chen ,  Kuan-Cheng Su

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/3148 ,  H01L29/456 ,  H01L29/665

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device includes providing a substrate having at least a gate structure formed thereon, forming LDDs in the substrate respectively at two side of the gate structure and a spacer at sidewalls of the gate structure, forming a source/drain in the substrate at two side of the gate structure, performing ant etching process to form recesses respectively in the source/drain, forming a barrier layer in the recesses; and performing a salicide process.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括提供至少形成有栅极结构的衬底，分别在栅极结构的两侧在衬底中形成LDD，在栅极结构的侧壁形成间隔物，在栅极结构的侧壁形成源极/漏极 基板在栅极结构的两侧，进行蚂蚁蚀刻处理以分别在源极/漏极中形成凹槽，在凹部中形成阻挡层; 并执行自杀过程。

公开(公告)号：US20080270056A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US11740916

申请日：2007-04-26

申请人： Yun-Chi Yang ,  Cheng-Li Lin ,  Chia-Jen Kao ,  Ju-Ping Chen ,  Kuan-Cheng Su

发明人： Yun-Chi Yang ,  Cheng-Li Lin ,  Chia-Jen Kao ,  Ju-Ping Chen ,  Kuan-Cheng Su

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01N37/00

CPC分类号： H01L22/20

摘要： A yield enhancement system has a fabrication line with semiconductor fabrication devices for fabricating a wafer, an inspection and measurement monitoring system coupled to the fabrication line for determining process data corresponding to semiconductor fabrication devices, and a post-process testing line coupled to the fabrication line for performing in-line wafer-level testing. The post-process testing line includes a wafer acceptance tester, a yield monitor coupled to the wafer acceptance tester, and a wafer level reliability tester coupled to the wafer acceptance tester for estimating a life span of a device on the wafer.

摘要翻译： 屈服增强系统具有制造线，其具有用于制造晶片的半导体制造装置，耦合到制造线的检查和测量监测系统，用于确定对应于半导体制造装置的工艺数据，以及耦合到制造线的后处理测试线 用于进行在线晶圆级测试。 后处理测试线包括晶片接收测试仪，耦合到晶片接收测试仪的屈服监测器，以及耦合到晶片接收测试仪的晶片级可靠性测试器，用于估计晶片上的器件的寿命。