公开(公告)号：US07250364B2

公开(公告)日：2007-07-31

申请号：US10995923

申请日：2004-11-22

申请人： Yung-Cheng Lu ,  Tien-I Bao ,  Su-Hong Lin ,  Syun-Ming Jang

发明人： Yung-Cheng Lu ,  Tien-I Bao ,  Su-Hong Lin ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834

摘要： Semiconductor devices with composite etch stop layers and methods of fabrication thereof. An semiconductor device with a composite etch stop layer includes a substrate having a conductive member, a first etch stop layer on the substrate and the conductive member, a second etch stop layer and a dielectric layer sequentially over the second etch stop layer, having a conductive layer therein down through the dielectric layer, the second etch stop layer and the first etch stop layer to the conductive member.

摘要翻译： 具有复合蚀刻停止层的半导体器件及其制造方法。 具有复合蚀刻停止层的半导体器件包括具有导电部件的衬底，衬底上的第一蚀刻停止层和导电部件，在第二蚀刻停止层上顺序地具有第二蚀刻停止层和介电层，具有导电 在其中向下穿过介电层，第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层到达导电构件。

公开(公告)号：US20060110912A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US10995923

申请日：2004-11-22

申请人： Yung-Cheng Lu ,  Tien-I Bao ,  Su-Hong Lin ,  Syun-Ming Jang

发明人： Yung-Cheng Lu ,  Tien-I Bao ,  Su-Hong Lin ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834

摘要： Semiconductor devices with composite etch stop layers and methods of fabrication thereof. An semiconductor device with a composite etch stop layer includes a substrate having a conductive member, a first etch stop layer on the substrate and the conductive member, a second etch stop layer and a dielectric layer sequentially over the second etch stop layer, having a conductive layer therein down through the dielectric layer, the second etch stop layer and the first etch stop layer to the conductive member.

摘要翻译： 具有复合蚀刻停止层的半导体器件及其制造方法。 具有复合蚀刻停止层的半导体器件包括具有导电部件的衬底，衬底上的第一蚀刻停止层和导电部件，在第二蚀刻停止层上顺序地具有第二蚀刻停止层和介电层，具有导电 在其中向下穿过介电层，第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层到达导电构件。