公开(公告)号：US20120091419A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US12905047

申请日：2010-10-14

申请人： Yung-Tin Chen ,  Chuanbin Pan ,  Andrei Mihnea ,  Steven Maxell ,  Kun Hou

发明人： Yung-Tin Chen ,  Chuanbin Pan ,  Andrei Mihnea ,  Steven Maxell ,  Kun Hou

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L45/146 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1616 ,  Y10S438/957

摘要： In some embodiments, a memory cell is provided that includes a storage element formed from an MIM stack including (1) a first conductive layer; (2) an RRS layer formed above the first conductive layer; and (3) a second conductive layer formed above the RRS layer, at least one of the first and second conductive layers comprising a first semiconductor material layer. The memory cell includes a steering element coupled to the storage element, the steering element formed from the first semiconductor material layer of the MIM stack and one or more additional material layers. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在一些实施例中，提供了一种存储单元，其包括由MIM堆叠形成的存储元件，所述存储元件包括：（1）第一导电层; （2）形成在第一导电层上方的RRS层; 和（3）形成在RRS层之上的第二导电层，第一和第二导电层中的至少一个包括第一半导体材料层。 存储单元包括耦合到存储元件的操纵元件，由MIM堆叠的第一半导体材料层形成的操纵元件和一个或多个附加材料层。 提供了许多其他方面。