公开(公告)号：US06830631B2

公开(公告)日：2004-12-14

申请号：US10220001

申请日：2002-09-25

申请人： Zsolt Nenyei ,  Wilfried Lerch ,  Jürgen Niess ,  Thomas Graf

发明人： Zsolt Nenyei ,  Wilfried Lerch ,  Jürgen Niess ,  Thomas Graf

IPC分类号： B08B704

CPC分类号： C23C16/4408 ,  C23C14/564 ,  H01L21/67098 ,  Y10S134/902 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/906

摘要： A method of removing first molecules adsorbed on the surfaces of a chamber and/or at least one object found in the chamber is provided. Second, polar molecules that have a desorptive effect on the first molecules are introduced into the chamber. The second molecules comprise nitrogen and hydrogen, and especially NH3 molecules.

摘要翻译： 提供了一种去除吸附在室的表面上的第一分子和/或在室中发现的至少一个物体的方法。 第二，对第一分子具有解吸作用的极性分子被引入室中。 第二分子包括氮和氢，特别是NH 3分子。

公开(公告)号：US06809011B2

公开(公告)日：2004-10-26

申请号：US10276767

申请日：2002-11-18

申请人： Wilfried Lerch ,  Jürgen Niess

发明人： Wilfried Lerch ,  Jürgen Niess

IPC分类号： H01L21322

CPC分类号： H01L21/67017 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/67115 ,  Y10S438/928

摘要： The invention relates to a method for generating defect profiles in a crystal or crystalline structure of a substrate, preferably a semiconductor, during a thermal treatment in a process chamber. According to the inventive method, a concentration and/or a density distribution of defects is controlled with at least one reactive component each depending on at least two process gases that differ in their composition. At least two of the process gases independently act upon at least two different surfaces of the substrate.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于在处理室的热处理期间在衬底（优选半导体）的晶体或晶体结构中产生缺陷分布的方法。 根据本发明的方法，通过至少一种反应性成分来控制缺陷的浓度和/或密度分布，这取决于组成不同的至少两种工艺气体。 至少两个工艺气体独立地作用于衬底的至少两个不同的表面。

公开(公告)号：US06953338B2

公开(公告)日：2005-10-11

申请号：US10182594

申请日：2001-01-19

申请人： Uwe Kreiser ,  Karsten Weber ,  Wilfried Lerch ,  Michael Grandy ,  Patrick Schmid ,  Jürgen Niess ,  Olgun Altug

发明人： Uwe Kreiser ,  Karsten Weber ,  Wilfried Lerch ,  Michael Grandy ,  Patrick Schmid ,  Jürgen Niess ,  Olgun Altug

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/687 ,  F27D5/00

CPC分类号： H01L21/68742 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/68785

摘要： The aim of the invention is to reduce the formation of scratches in a device for the thermal treatment of substrates, in particular, semiconductor substrates, in a chamber in which the substrate is placed upon support elements. According to the invention, said aim is achieved by means of displaceable support elements.

摘要翻译： 本发明的目的是减少在基板被放置在支撑元件上的室中用于热处理基板，特别是半导体基板的装置中的划痕的形成。 根据本发明，所述目的通过可移位的支撑元件来实现。