公开(公告)号：US20080254202A1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：US10591391

申请日：2005-03-04

申请人： Lars Stolt ,  John Kessler

发明人： Lars Stolt ,  John Kessler

IPC分类号： B05D5/12 ,  B05C11/00

CPC分类号： H01L31/18 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/548 ,  C23C14/56 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： An in-line production apparatus and a method for composition control of copper indium gallium diselenide (CIGS) solar cells fabricated by a co-evaporation deposition process. The deposition conditions are so that a deposited Cu-excessive overall composition is transformed into to a Cu-deficient overall composition, the final CIGS film. Substrates with a molybdenum layer move through the process chamber with constant speed. The transition from copper rich to copper deficient composition on a substrate is detected by using sensors which detect a physical parameter related to the transition. A preferred embodiment sensors are provided that detect the composition of elements in the deposited layer. A controller connected to the sensors adjusts the fluxes from the evaporant sources in order provide a CIGS layer with uniform composition and thickness over the width of the substrate.

摘要翻译： 通过共蒸发沉积工艺制造的在线生产设备和铜铟镓硒（CIGS）太阳能电池的组合物控制方法。 沉积条件使得沉积的Cu过量的整体组合物转化为Cu缺陷的总体组合物，即最终的CIGS膜。 具有钼层的衬底以恒定的速度移动通过处理室。 通过使用检测与转变相关的物理参数的传感器来检测从底物上富铜到铜缺乏组成的转变。 提供了一种优选实施例的传感器，其检测沉积层中的元件的组成。 连接到传感器的控制器调节来自蒸发源的通量，以便提供在衬底的宽度上具有均匀组成和厚度的CIGS层。

公开(公告)号：US20080251120A1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：US10592061

申请日：2005-03-03

申请人： Jonas Malmstrom ,  Lars Stolt

发明人： Jonas Malmstrom ,  Lars Stolt

IPC分类号： H01L31/0248 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0322 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： The present invention relates to a thin film solar cell and a method of manufacturing such cells. In particular the invention relates to the use of a composite back contact (314) in Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) based thin film solar cells with thin absorber layers. The composite back contact (314) is provided between the substrate (105) and the absorber (115) and comprises: a back reflector layer (311) that enhance the reflectance at the absorber/composite back contact interface; and at least a contact layer that contact layer (310, 313) that ensures suitable electrical properties of the back contact with respect to the absorber; and/or a conductance layer (312) that ensures low sheet resistance for the in-plane current flow.

摘要翻译： 本发明涉及一种薄膜太阳能电池及其制造方法。 特别地，本发明涉及在具有薄吸收层的Cu（In，Ga）Se 2（CIGS）基薄膜太阳能电池中使用复合背接触件（314）。 所述复合背接触件（314）设置在所述基底（105）和所述吸收体（115）之间，并包括：增强所述吸收体/复合背接触界面处的反射率的后反射层（311） 以及至少接触层，其接触层（310,313）确保所述背接触件相对于所述吸收体的适合的电特性; 和/或电导层（312），其确保面内电流的低的薄层电阻。