公开(公告)号：US06224669B1

公开(公告)日：2001-05-01

申请号：US09662390

申请日：2000-09-14

申请人： Zhiyi Yi ,  Ravindranath Droopad ,  Corey Daniel Overgaard ,  Jamal Ramdani ,  Jay A. Curless ,  Jerald A. Hallmark ,  William J. Ooms ,  Jun Wang

发明人： Zhiyi Yi ,  Ravindranath Droopad ,  Corey Daniel Overgaard ,  Jamal Ramdani ,  Jay A. Curless ,  Jerald A. Hallmark ,  William J. Ooms ,  Jun Wang

IPC分类号： C03B2514

CPC分类号： H01L21/31691 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/31604 ,  H01L28/56

摘要： A method for fabricating a semiconductor structure comprises the steps of providing a silicon substrate (10) having a surface (12); forming on the surface of the silicon substrate an interface (14) comprising a single atomic layer of silicon, oxygen, and a metal; and forming one or more layers of a single crystal oxide (26) on the interface. The interface comprises an atomic layer of silicon, oxygen, and a metal in the form XSiO2, where X is a metal.

摘要翻译： 一种制造半导体结构的方法包括以下步骤：提供具有表面（12）的硅衬底（10）; 在所述硅衬底的表面上形成包含硅，氧和金属的单原子层的界面（14）; 以及在界面上形成一层或多层单晶氧化物（26）。 该界面包括硅，氧和XSiO 2形式的金属的原子层，其中X是金属。