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    Alkaline-earth metal silicides on silicon
    3.
    发明授权
    Alkaline-earth metal silicides on silicon 失效
    硅上的碱土金属硅化物

    公开(公告)号：US06022410A

    公开(公告)日：2000-02-08

    申请号：US144921

    申请日：1998-09-01

    申请人： Zhiyi Yu ,  Jun Wang ,  Ravindranath Droopad ,  Daniel S. Marshall ,  Jerald A. Hallmark ,  Jonathan K. Abrokwah

    发明人： Zhiyi Yu ,  Jun Wang ,  Ravindranath Droopad ,  Daniel S. Marshall ,  Jerald A. Hallmark ,  Jonathan K. Abrokwah

    IPC分类号： H01L21/203 ,  C30B23/02 ,  C30B29/10 ,  C30B23/00

    CPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/10

    摘要： A method of forming a thin silicide layer on a silicon substrate 12 including heating the surface of the substrate to a temperature of approximately 500.degree. C. to 750.degree. C. and directing an atomic beam of silicon 18 and an atomic beam of an alkaline-earth metal 20 at the heated surface of the substrate in a molecular beam epitaxy chamber at a pressure in a range below 10.sup.-9 Torr. The silicon to alkaline-earth metal flux ratio is kept constant (e.g. Si/Ba flux ratio is kept at approximately 2:1) so as to form a thin alkaline-earth metal silicide layer (e.g. BaSi.sub.2) on the surface of the substrate. The thickness is determined by monitoring in situ the surface of the single crystal silicide layer with RHEED and terminating the atomic beam when the silicide layer is a selected submonolayer to one monolayer thick.

    摘要翻译： 一种在硅衬底12上形成薄硅化物层的方法，包括将衬底的表面加热至约500℃至750℃的温度，并引导硅18的原子束和碱性电子束的原子束， 在分子束外延室中的衬底的加热表面处的压力在10-9乇以下的地球金属20。 将硅与碱土金属的通量比保持恒定（例如，Si / Ba通量比保持在约2:1），以在衬底的表面上形成薄的碱土金属硅化物层（例如BaSi 2）。 通过用RHEED原位监测单晶硅化物层的表面并且当硅化物层是选择的亚单层至一个单层厚度时终止原子束来确定厚度。

    Thermoelectric power generator and method of generating thermoelectric power in a steam power cycle utilizing latent steam heat
    5.
    发明授权
    Thermoelectric power generator and method of generating thermoelectric power in a steam power cycle utilizing latent steam heat 失效
    热电发电机及利用潜热蒸汽在蒸汽动力循环中产生热电功率的方法

    公开(公告)号：US06367261B1

    公开(公告)日：2002-04-09

    申请号：US09703072

    申请日：2000-10-30

    申请人： Daniel S. Marshall ,  Jerald A. Hallmark ,  William J. Ooms

    发明人： Daniel S. Marshall ,  Jerald A. Hallmark ,  William J. Ooms

    IPC分类号： F01K1700

    CPC分类号： H01L35/00 ,  F01K9/00

    摘要： A thermoelectric power generator and method of generating thermoelectric power in a steam power cycle utilizing latent steam heat including a condenser, a heat source, such as steam, and at least one thermoelectric module. The condenser includes a plurality of condenser tubes each having included therein a heat extractor. The heat source is in communication with the condenser and is characterized as providing thermal energy to the condenser. The at least one thermoelectric module, including a plurality of thermoelectric elements, is positioned in communication with at least one of the plurality of condenser tubes so that thermal energy flows through the thermoelectric elements thereby generating electrical power.

    摘要翻译： 一种热电发电机和利用包括冷凝器，热源（例如蒸汽）和至少一个热电模块的潜热蒸汽热在蒸汽动力循环中产生热电功率的方法。 冷凝器包括多个冷凝管，每个冷凝管每个都包括一个散热器。 热源与冷凝器连通，其特征在于向冷凝器提供热能。 包括多个热电元件的至少一个热电模块被定位成与多个冷凝器管中的至少一个连通，使得热能流过热电元件从而产生电力。

    Ferroelectric semiconductor device, and ferroelectric semiconductor substrate
    6.
    发明授权
    Ferroelectric semiconductor device, and ferroelectric semiconductor substrate 失效
    铁电半导体器件和铁电半导体衬底

    公开(公告)号：US6097047A

    公开(公告)日：2000-08-01

    申请号：US70063

    申请日：1998-04-30

    申请人： William J. Ooms ,  Jerald A. Hallmark ,  Daniel S. Marshall

    发明人： William J. Ooms ,  Jerald A. Hallmark ,  Daniel S. Marshall

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

    CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645

    摘要： A ferroelectric semiconductor device (10) and a method of manufacturing the ferroelectric semiconductor device (10). The ferroelectric semiconductor device (10) is manufactured from a substrate (11) that has a layer (14) of ferroelectric material sandwiched between a substrate (13) and a layer (16) of silicon. A gate structure (24) is formed on the layer (16) of silicon. A source region is formed in a portion of the layer (16) of silicon adjacent one side of the gate structure (24) and a drain region is formed in a portion of the layer (16) of silicon adjacent an opposing side of the gate structure (24).

    摘要翻译： 铁电半导体器件（10）和制造铁电半导体器件（10）的方法。 铁电半导体装置（10）由具有夹在基板（13）和硅层（16）之间的铁电材料层（14）的基板（11）制成。 在硅的层（16）上形成栅极结构（24）。 源极区域形成在与栅极结构（24）的一侧相邻的硅的层（16）的一部分中，并且漏极区域形成在邻近栅极的相对侧的硅层（16）的一部分中 结构（24）。

    Ferroelectric semiconductor device having a layered ferroelectric structure
    7.
    发明授权
    Ferroelectric semiconductor device having a layered ferroelectric structure 失效
    具有分层铁电结构的铁电半导体器件

    公开(公告)号：US5767543A

    公开(公告)日：1998-06-16

    申请号：US714715

    申请日：1996-09-16

    申请人： William J. Ooms ,  Daniel S. Marshall ,  Jerald A. Hallmark

    发明人： William J. Ooms ,  Daniel S. Marshall ,  Jerald A. Hallmark

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L29/51 ,  H01L29/788 ,  G11C11/22

    CPC分类号： H01L28/56 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/31691 ,  H01L29/516

    摘要： A layered bismuth ferroelectric structure (12) and a method for forming the bismuth layered ferroelectric structure (12). A monolayer (12A) of bismuth is formed in intimate contact with a single crystalline semiconductor material (11). A layered ferroelectric material (12) is grown on the monolayer (12A) of bismuth such that the monolayer (12A) of bismuth becomes a part of the layered ferroelectric material (12). The ferroelectric material (12) forms a layered ferroelectric material which is not a pure perovskite, wherein the crystalline structure at the interface between the single crystalline semiconductor material (11) and the monolayer (12A) of bismuth are substantially the same.

    摘要翻译： 层状铋强电介质结构（12）和形成铋层状铁电体结构（12）的方法。 形成与单晶半导体材料（11）紧密接触的铋单层（12A）。 在铋的单层（12A）上生长分层的铁电材料（12），使得铋的单层（12A）成为层状铁电体（12）的一部分。 铁电材料（12）形成不是纯钙钛矿的层状铁电体材料，其中在单晶半导体材料（11）和铋单层（12A）之间的界面处的晶体结构基本上相同。

    High speed, low power input buffer
    8.
    发明授权
    High speed, low power input buffer 失效
    高速，低功耗输入缓冲器

    公开(公告)号：US5039881A

    公开(公告)日：1991-08-13

    申请号：US370657

    申请日：1989-06-23

    申请人： William J. Ooms ,  Jerald A. Hallmark

    发明人： William J. Ooms ,  Jerald A. Hallmark

    IPC分类号： H03K19/018

    CPC分类号： H03K19/01812

    摘要： An input buffer includes an input circuit (80), a pair of complimentary outputs (52,54) and a differential ampliifer (12). The input buffer includes a pull-down diode (90) arranged in parallel with pull-up diodes (84, 86, and 88), coupled between the buffer input (82) and the differential amplifier input (32). Pull-up is achieved through the low impedance path of the pull-up diodes, eliminating a need for a high value resistor. Pull-down is achieved through the pull-down diode in series with a resistor (92). This arrangement provides high speed of operation, while reducing current consumption.

    摘要翻译： 输入缓冲器包括输入电路（80），一对互补输出（52,54）和差分放大器（12）。 输入缓冲器包括与上拉二极管（84,86和88）并联布置的下拉二极管（90），耦合在缓冲器输入端（82）和差分放大器输入端（32）之间。 通过上拉二极管的低阻抗路径实现上拉，无需使用高值电阻。 通过与电阻（92）串联的下拉二极管实现下拉。 这种布置提供高速操作，同时减少电流消耗。

    Method for making a ferroelectric semiconductor device and a layered structure
    9.
    发明授权
    Method for making a ferroelectric semiconductor device and a layered structure 失效
    制造铁电半导体器件和分层结构的方法

    公开(公告)号：US5888296A

    公开(公告)日：1999-03-30

    申请号：US956622

    申请日：1997-09-29

    申请人： William J. Ooms ,  Daniel S. Marshall ,  Jerald A. Hallmark

    发明人： William J. Ooms ,  Daniel S. Marshall ,  Jerald A. Hallmark

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L29/51 ,  C30B23/00

    CPC分类号： H01L28/56 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/31691 ,  H01L29/516

    摘要： A layered bismuth ferroelectric structure (12) and a method for forming the bismuth layered ferroelectric structure (12). A monolayer (12A) of bismuth is formed in intimate contact with a single crystalline semiconductor material (11). A layered ferroelectric material (12) is grown on the monolayer (12A) of bismuth such that the monolayer (12A) of bismuth becomes a part of the layered ferroelectric material (12). The ferroelectric material (12) forms a layered ferroelectric material which is not a pure perovskite, wherein the crystalline structure at the interface between the single crystalline semiconductor material (11) and the monolayer (12A) of bismuth are substantially the same.

    摘要翻译： 层状铋铁电体结构（12）和形成铋层状铁电体结构（12）的方法。 形成与单晶半导体材料（11）紧密接触的铋单层（12A）。 在铋的单层（12A）上生长分层的铁电材料（12），使得铋的单层（12A）成为层状铁电体（12）的一部分。 铁电材料（12）形成不是纯钙钛矿的层状铁电体材料，其中在单晶半导体材料（11）和铋单层（12A）之间的界面处的晶体结构基本上相同。

    Method of manufacturing a ferroelectric device
    10.
    发明授权
    Method of manufacturing a ferroelectric device 失效
    制造铁电体元件的方法

    公开(公告)号：US5846847A

    公开(公告)日：1998-12-08

    申请号：US743769

    申请日：1996-11-07

    申请人： William J. Ooms ,  Jerald A. Hallmark ,  Daniel S. Marshall

    发明人： William J. Ooms ,  Jerald A. Hallmark ,  Daniel S. Marshall

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01G7/06 ,  H01L21/8239

    CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645

    摘要： A ferroelectric semiconductor device (10) and a method of manufacturing the ferroelectric semiconductor device (10). The ferroelectric semiconductor device (10) is manufactured from a substrate (11) that has a layer (14) of ferroelectric material sandwiched between a substrate (13) and a layer (16) of silicon. A gate structure (24) is formed on the layer (16) of silicon. A source region is formed in a portion of the layer (16) of silicon adjacent one side of the gate structure (24) and a drain region is formed in a portion of the layer (16) of silicon adjacent an opposing side of the gate structure (24).

    摘要翻译： 铁电半导体器件（10）和制造铁电半导体器件（10）的方法。 铁电半导体装置（10）由具有夹在基板（13）和硅层（16）之间的铁电材料层（14）的基板（11）制成。 在硅的层（16）上形成栅极结构（24）。 源极区域形成在与栅极结构（24）的一侧相邻的硅的层（16）的一部分中，并且漏极区域形成在邻近栅极的相对侧的硅层（16）的一部分中 结构（24）。