公开(公告)号：US06464779B1

公开(公告)日：2002-10-15

申请号：US09766143

申请日：2001-01-19

申请人： Ronald A. Powell ,  James A. Fair

发明人： Ronald A. Powell ,  James A. Fair

IPC分类号： C30B2902

CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/18 ,  C23C16/56 ,  C30B25/02 ,  C30B29/02

摘要： This invention pertains to systems and methods for atomic layer chemical vapor deposition. More specifically, the invention pertains to methods for copper atomic layer chemical vapor deposition, particularly to deposit a seed layer prior to the electrochemical Cu fill operation in integrated circuit fabrication. It also pertains to apparatus modules for performing such deposition.

摘要翻译： 本发明涉及原子层化学气相沉积的系统和方法。 更具体地，本发明涉及铜原子层化学气相沉积的方法，特别是在集成电路制造中的电化学Cu填充操作之前沉积种子层。 它也涉及用于进行这种沉积的装置模块。