公开(公告)号：US06303277B1

公开(公告)日：2001-10-16

申请号：US09386167

申请日：1999-08-31

申请人： Hiroyuki Hieda ,  Takashi Ishino ,  Kuniyoshi Tanaka ,  Katsuyuki Naito

发明人： Hiroyuki Hieda ,  Takashi Ishino ,  Kuniyoshi Tanaka ,  Katsuyuki Naito

IPC分类号： G03C842

CPC分类号： H01L21/3081 ,  G11B5/855 ,  G11B7/261 ,  H01L21/3086

摘要： The present invention provides a pattern forming method including the steps of forming a first thin film on an object to be etched, forming a first surface region and a second surface region on a surface of the object by modifying or removing a portion of the first thin film, the first and second surface regions differing from each other in the surface state, forming a second thin film on the first surface region by utilizing the difference in the surface state between the first and second surface regions, the second thin film being amorphous and thicker than the first thin film, and etching the object using the second thin film as an etching mask.

摘要翻译： 本发明提供了一种图案形成方法，包括以下步骤：在待蚀刻物体上形成第一薄膜，通过修改或去除第一薄片的一部分，在物体的表面上形成第一表面区域和第二表面区域 膜，第一和第二表面区域在表面状态彼此不同，通过利用第一和第二表面区域之间的表面状态的差异在第一表面区域上形成第二薄膜，第二薄膜是无定形的， 比第一薄膜厚，并且使用第二薄膜作为蚀刻掩模来蚀刻物体。