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公开(公告)号：WO2023038370A1
公开(公告)日：2023-03-16
申请号：PCT/KR2022/013189
申请日：2022-09-02
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: C23C16/455 , C23C16/509 , H01J37/32
Abstract: 본 발명은 챔버; 상기 챔버의 내부에서 적어도 하나의 기판을 지지하는 기판지지부; 상기 기판지지부의 상측에 배치된 하부플레이트; 및 상기 하부플레이트의 상측에 배치된 상부플레이트를 포함하고, 상기 상부플레이트는 제1가스를 제공하는 제1분사홀, 및 제2가스를 제공하는 제2분사홀을 포함하며, 상기 하부플레이트는 상기 제1분사홀로부터 제공된 제1가스를 통과시키도록 상기 제1분사홀의 하측에 배치된 제1개구, 및 상기 제2분사홀로부터 제공된 제2가스를 통과시키도록 상기 제2분사홀의 하측에 배치된 제2개구를 포함하는 기판처리장치에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2023287155A1
公开(公告)日：2023-01-19
申请号：PCT/KR2022/010106
申请日：2022-07-12
Applicant: 주성엔지니어링(주)
Abstract: 본 발명은 기판에 대한 처리공정이 이루어지는 챔버; 상기 챔버의 내부에서 적어도 하나의 기판을 지지하는 기판지지부; 상기 챔버의 상부(上部)를 덮는 상부돔; 및 상기 챔버의 하부(下部)에 결합된 하부돔을 포함하되, 상기 상부돔의 에지부가 상기 상부돔의 센터부보다 두꺼운 두께로 형성된 기판처리장치에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2022216105A1
公开(公告)日：2022-10-13
申请号：PCT/KR2022/005103
申请日：2022-04-08
Applicant: 주성엔지니어링(주)
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법은 챔버 내부의 지지대 상에 기판을 안착시키는 준비단계, 챔버 내부로 제1세정가스를 분사하여 기판 상의 자연 산화막을 제거하는 단계를 포함하는 제1세정단계, 챔버 내부로 공정가스를 분사하여 기판의 일면 중 성장영역에 박막을 성장시키는 성장단계 및 제1세정단계에서 챔버 내부에 유도결합 플라즈마를 발생시키는 단계를 포함하고, 챔버 내부의 온도는 300℃ 내지 750℃인 것을 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들에 의하면, 성장공정 전에 기판의 성장영역 상에 형성되어 있는 산화막을 제거하는 세정공정을 실시한다. 이에, 기판 상에 선택적 성장공정을 용이하게 실시할 수 있으며, 박막의 품질을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：WO2022203216A1
公开(公告)日：2022-09-29
申请号：PCT/KR2022/002650
申请日：2022-02-23
Applicant: 주성엔지니어링(주)
Abstract: 본 발명은 금속 전극을 생성하기 이전에 PVD 시스템에서 ITO 증착 이후의 장비에서 광조사를 수행하여 광조사 면적의 손실을 줄일 수 있는 기판처리장치 및 기판 처리방법에 관한 것으로, 하나 이상의 박막층이 형성된 기판; 상기 기판을 이송하는 이송 챔버; 상기 기판을 쿨링하는 쿨링 챔버 및 상기 기판을 진공 상태에서 대기압 상태로 변경하는 벤팅 챔버를 포함하는 기판처리장치에서 상기 이송챔버, 쿨링 챔버 또는 벤팅 챔버 중 하나 이상의 챔버에 상기 기판에 광을 조사하는 광조사 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하며, 금속 전극에 의해 광조사 모듈의 빛이 가려지는 것을 방지할 수 있어 수광 면적이 넓게 될 수 있어 광조사에 의한 효율을 증가시킬 수 있다.
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公开(公告)号：WO2022186551A1
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：PCT/KR2022/002742
申请日：2022-02-24
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L23/525 , H01L21/285 , H01L21/68 , C23C14/16 , C23C14/04 , H01L23/532
Abstract: 본 발명은 반도체 패키징 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼 레벨 패키징 방식으로 반도체 소자를 패키징하기 위한 반도체 패키징 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 패키징 방법은, 복수의 반도체 소자를 포함하는 웨이퍼를 마련하는 단계; 상기 웨이퍼와 별도로 마련된 마스크 부재를 이용하여, 상기 웨이퍼 상에 도전 패턴층을 형성하는 단계; 및 반도체 소자별로 상기 웨이퍼를 절단하는 단계;를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2022186529A1
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：PCT/KR2022/002482
申请日：2022-02-21
Applicant: 주성엔지니어링(주)
Inventor： 김재호
IPC: H01L31/078 , H01L51/42
Abstract: 본 발명은 기판 상에 제1 도전성 전하 전달층, 광흡수층, 및 제2 도전성 전하 전달층을 포함한 페로브스카이트 태양 전지를 준비하는 단계; 상기 페로브스카이트 태양 전지에 분리부를 형성하여 제1 페로브스카이트 단위 태양 전지 및 제2 페로브스카이트 단위 태양 전지를 형성하는 단계; 상기 제1 페로브스카이트 단위 태양 전지에 콘택부를 형성하여 상기 제1 페로브스카이트 단위 태양 전지의 소정 영역을 노출시키는 단계; 상기 제1 페로브스카이트 단위 태양 전지 및 제2 페로브스카이트 단위 태양 전지 각각의 상면에 버퍼층을 형성하는 단계; 복수의 제2 태양 전지를 준비하는 단계; 상기 버퍼층 상에 상기 복수의 제2 태양 전지를 합착하여, 상기 제1 페로브스카이트 단위 태양 전지와 상기 버퍼층과 상기 제2 태양 전지가 차례로 적층된 제1 단위 탠덤 태양 전지, 및 상기 제2 페로브스카이트 단위 태양 전지와 상기 버퍼층과 상기 제2 태양 전지가 차례로 적층된 제2 단위 탠덤 태양 전지를 형성하는 단계; 및 상기 제1 단위 탠덤 태양 전지와 상기 제2 단위 탠덤 태양 전지를 전기적으로 연결하는 단계를 포함하여 이루어진 탠덤 태양 전지의 제조 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2021241869A1
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：PCT/KR2021/003684
申请日：2021-03-25
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/503 , C23C16/509
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 반응공간을 제공하고 기판이 출입하는 기판 출입구를 포함하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 배치되며 상기 기판을 지지하는 서셉터; 상기 서셉터의 대향면에 배치되어 상기 기판을 향해 가스를 분사하는 가스 분사부; 상기 기판 출입구를 개폐하는 밸브; 및 상기 밸브에 형성된 제어 전극을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제어 전극은 상하 구동 가능할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2021112471A1
公开(公告)日：2021-06-10
申请号：PCT/KR2020/016693
申请日：2020-11-24
Applicant: 주성엔지니어링(주)
Inventor： 조원태
IPC: H01L21/285 , H01L21/033 , H01L21/02
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 전극 형성 방법은 말단(end tail)이 공유 결합 및 이중 결합 중 어느 하나의 결합 구조를 가지는 고분자(polymer)인 마스크 재료를 이용하여, 베이스의 일면 중 일부 영역이 노출되도록 베이스의 일면에 마스크 패턴을 형성하는 과정, 마스크 패턴이 형성된 베이스를 챔버 내부로 장입시키는 과정, 챔버 내부로 구리를 포함하는 소스 원료 및 소스 원료와 반응하는 반응 원료를 교번하여 분사하는 원자층 증착 방법으로, 노출된 베이스의 일면에 구리를 포함하는 도전막을 형성하는 도전막 형성 과정을 포함한다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 전극 형성 방법에 의하면, 마스크 패턴 표면 상에 전극 형성 원료에 의한 박막이 형성되지 않는다. 이에, 마스크 패턴 제거시에 잔여물이 남지 않고, 이로 인해 잔여물에 의한 결함(defect) 발생을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2021071167A1
公开(公告)日：2021-04-15
申请号：PCT/KR2020/013310
申请日：2020-09-29
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/02 , C23C16/455
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내측 상부에 배치되고 상기 공정 챔버의 상부면과 이격되어 배치되는 상부 전극; 상기 상부 전극과 일정한 간격을 가지고 상기 상부 전극 하부에서 상기 상부 전극을 마주보도록 배치되는 하부 전극; 전기적으로 접지되고 상기 하부 전극과 일정한 간격을 가지고 상기 하부 전극 하부에서 상기 하부 전극을 마주보도록 배치되고 기판을 장착하는 기판안치수단; 및 상기 하부 전극과 접지 사이 또는 상기 하부 전극과 RF 전원의 출력단 사이에 연결되는 가변 커패시터를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2020256259A1
公开(公告)日：2020-12-24
申请号：PCT/KR2020/004671
申请日：2020-04-07
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/677 , H01L21/67 , F16K3/02 , F16K27/04
Abstract: 일 실시 예에 의한 슬롯 밸브는, 챔버의 측벽에 형성된 개구부를 개폐하는 블레이드; 상기 챔버의 측벽 내에 수용되어 상기 블레이드를 수평 방향으로 왕복 운동시키는 구동부; 및 상기 블레이드와 상기 구동부를 연결하는 샤프트;를 포함하고, 상기 블레이드는, 상기 구동부의 밀폐 동작에 의해 상기 챔버의 내면과 동일면이 될 수 있다.
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