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1.发明申请ＩＩＩ族窒化物半導体結晶およびその製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法ならびに発光機器 审中-公开III硝酸盐半导体晶体及其制造方法，III型氮化物半导体器件及其制造方法及发光器件
公开(公告)号：WO2005112080A1
公开(公告)日：2005-11-24
申请号：PCT/JP2005/008745
申请日：2005-05-13
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L33/0075 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 半導体デバイス程度の大きさのＩＩＩ族窒化物半導体結晶およびその製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法ならびに発光機器を提供する。 下地基板１上に１以上のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１１を成長させる工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１１上に１層以上のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層１２を成長させる工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１１およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶層１２から構成されるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１０を下地基板１から分離する工程とを含み、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１０の厚さが１０μｍ以上６００μｍ以下、幅が０．２ｍｍ以上５０ｍｍ以下であるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法。
Abstract translation: 具有大致半导体器件的尺寸的III族氮化物半导体晶体及其制造方法，III族氮化物半导体器件及其制造方法以及发光器件。 制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在基板（1）上生长III族氮化物半导体晶体板（11）中的一种或多种的工艺，生长一层或更多层III族氮化物半导体晶体 （11）的III族氮化物半导体晶体层（11）和III族氮化物半导体结晶层（11）的III族氮化物半导体晶体（10）的分离工序， 基板（1）。 III族氮化物半导体晶体（10）的厚度为10μm以上且不大于600μm，宽度为0.2mm以上且50mm以下。
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公开(公告)号：WO2004058826A1
公开(公告)日：2004-07-15
申请号：PCT/JP2002/013501
申请日：2002-12-25
IPC: C08F2/00
CPC classification number: C08F2/00 , C08F2/001 , C08F212/08 , C08F220/14 , C08F220/18 , C08F220/32 , C08F2220/1825 , C08F2220/1858 , C08F2220/281 , C08F2220/325 , C08L33/04 , C08L33/06 , C08L33/062 , C09D133/06 , C09D133/068 , C08L2666/04
Abstract: ビニル系モノマーを含む原料混合物を連続式槽型の第1反応器に連続的に供給し、重合温度150～300℃、滞在時間1～60分の条件下、重合率が50～99%になるように前記ビニル系モノマーを重合し、反応中間混合物を製造する第一工程と、前記ビニル系モノマー100質量部に対して0.01～5質量部の重合開始剤と前記反応中間混合物とを第2反応器に供給し、重合温度100～200℃、滞在時間10～240分の条件下、重合率が80%以上になるように前記ビニル系モノマーをさらに重合する第二工程を経て得られる、質量平均分子量が1500～10000であるビニル系重合体。
Abstract translation: 一种重均分子量为1500〜10,000的乙烯基聚合物，其通过以下步骤获得：第一步骤，其中将含有乙烯基单体的原料混合物连续进料至连续操作型的第一罐式反应器和乙烯基单体 聚合温度为150〜300℃，停留时间为1〜60分钟，直到聚合物的转化率达到50〜99％，得到中间体反应混合物; 并且第二步骤，其中将每100重量份乙烯基单体相对于聚合引发剂和中间反应混合物的0.01至5重量份加入到第二反应器中，并将乙烯基单体在聚合温度 100〜200℃，停留时间为10〜240分钟，直至聚合物的转化率达到80％以上。
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