公开(公告)号：WO2017023394A3

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：PCT/US2016032501

申请日：2016-05-13

申请人： STC UNM

发明人： LEE SEUNG-CHANG ,  BRUECK STEVEN R J

IPC分类号： H01L29/88 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L21/02603 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0673

摘要： Provided is a method for growing a nanowire, including: providing a substrate with a base portion having a first surface and at least one support structure extending above or below the first surface; forming a dielectric coating on the at least one support structure; forming a photoresist coating over the substrate; forming a metal coating over at least a portion of the dielectric coating; removing a portion of the dielectric coating to expose a surface of the at least one support structure; removing a portion of the at least one support structure to form a nanowire growth surface; growing at least one nanowire on the nanowire growth surface of a corresponding one of the at least one support structure, wherein the nanowire comprises a root end attached to the growth surface and an opposing, free end extending from the root end; and elastically bending the at least one nanowire.

摘要翻译： 提供一种生长纳米线的方法，包括：提供具有基部的基板，所述基部具有第一表面和在所述第一表面的上方或下方延伸的至少一个支撑结构; 在所述至少一个支撑结构上形成电介质涂层; 在衬底上形成光刻胶涂层; 在电介质涂层的至少一部分上形成金属涂层; 去除所述电介质涂层的一部分以暴露所述至少一个支撑结构的表面; 去除所述至少一个支撑结构的一部分以形成纳米线生长表面; 在所述至少一个支撑结构中的相应一个的所述纳米线生长表面上生长至少一个纳米线，其中所述纳米线包括附接到所述生长表面的根端和从所述根端延伸的相对的自由端; 并弹性弯曲所述至少一个纳米线。

公开(公告)号：WO2016139566A1

公开(公告)日：2016-09-09

申请号：PCT/IB2016/051105

申请日：2016-02-29

申请人： ABDOLAHAD, Mohammad

发明人： ABDOLAHAD, Mohammad ,  GHAROONI, Milad ,  MOHAJERZADEH, Shamsoddin ,  ABIRI, Hamed ,  JANMALEKI, Mohsen

IPC分类号： G01N27/02

CPC分类号： G01N33/4836 ,  G01N27/02 ,  G01N27/021 ,  G01N27/3278 ,  G01N33/5011 ,  G01N33/5044 ,  G01N33/574 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653

摘要： An electrical cell-substrate impedance sensor (ECIS) (100) includes a substrate (102); a catalyst layer (103) formed on the substrate (102); and a plurality of nanowire electrodes array (104) grown on the catalyst layer (103). The plurality of nanowire electrodes are configured to measure an electrical response of a biological cell.

摘要翻译： 电池基板阻抗传感器（ECIS）（100）包括基板（102）; 形成在所述基板（102）上的催化剂层（103） 和在催化剂层（103）上生长的多个纳米线电极阵列（104）。 多个纳米线电极被配置为测量生物细胞的电响应。

公开(公告)号：WO2016056960A1

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：PCT/SE2014/051170

申请日：2014-10-07

申请人： TANDEM SUN AB

发明人： SUN, Yanting

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02645 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/1075 ,  H01L31/1844

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device with a heterostructure comprises the steps of: covering a semiconductor structure (50) with a seed layer structure (52; 54); forming one or more separated circularly shaped openings in the seed layer structure to expose the semiconductor structure therein, and leave the seed layer structure outside the one or more separated circularly shaped openings; forming an insulator layer thereon; etching the obtained structure to (i) expose at least a portion of the seed layer structure, such that the exposed at least portion of the seed layer structure surrounds each of the one or more separated circularly shaped openings, and (ii) optionally expose the semiconductor structure, in the one or more separated circularly shaped openings; and epitaxially growing a semiconductor layer (80) from the exposed at least portion of the seed layer structure, firstly mainly vertically and then into each of the one or more separated circularly shaped openings until the epitaxially grown semiconductor layer coalesces with the insulator layer or the semiconductor structure in each of the one or more separated circularly shaped openings.

摘要翻译： 一种用于制造具有异质结构的半导体器件的方法包括以下步骤：用晶种层结构（52; 54）覆盖半导体结构（50）; 在晶种层结构中形成一个或多个分离的圆形开口以暴露其中的半导体结构，并且将种子层结构留在一个或多个分离的圆形开口外部; 在其上形成绝缘体层; 蚀刻所获得的结构以（i）暴露种子层结构的至少一部分，使得暴露的种子层结构的至少部分包围一个或多个分离的圆形形状的开口中的每一个，以及（ii）可选地暴露 在一个或多个分离的圆形开口中的半导体结构; 并且从所述种子层结构的所述暴露的至少部分外延生长半导体层（80），首先主要是垂直地，然后进入所述一个或多个分离的圆形形状的开口中的每一个，直到所述外延生长的半导体层与所述绝缘体层或 在一个或多个分离的圆形开口中的每一个中的半导体结构。

公开(公告)号：WO2015053341A1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：PCT/JP2014/076998

申请日：2014-10-08

申请人： 国立大学法人大阪大学 ,  伊藤忠プラスチックス株式会社

发明人： 森　勇介 ,  今出　完 ,  吉村　政志 ,  伊勢村　雅士

IPC分类号： C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/14 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02645 ,  C23C16/22 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4488 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/32

摘要： 　ハロゲンを含む副生成物が結晶生成に悪影響を及ぼすことがなく、かつ、反応性および操作性に優れるIII族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。　III族元素窒化物結晶の製造方法であって、　III族元素金属と、酸化性ガスと、窒素含有ガスとを反応させて、前記III族元素窒化物結晶を製造するIII族元素窒化物結晶製造工程を有することを特徴とする製造方法。

摘要翻译： 提供了具有优异的反应性和可操作性的III族氮化物晶体的制造方法，其中含有卤素的副产物不会对晶体形成产生不利影响。 一种III族氮化物晶体的制造方法，其特征在于，包括通过使III族金属元素，氧化性气体和含氮气体彼此反应来制造III族氮化物晶体的III族氮化物晶体制造工序。

公开(公告)号：WO2014006320A3

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/FR2013051553

申请日：2013-07-02

申请人： SAINT GOBAIN RECH ,  CENTRE NAT RECH SCIENT

发明人： SONDERGARD ELIN ,  COHIN YANN ,  HARMAND JEAN-CHRISTOPHE

IPC分类号： C30B29/40 ,  B82Y10/00 ,  C30B1/02 ,  C30B23/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  C30B29/60 ,  H01L29/06

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B1/023 ,  C30B23/025 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  C30B29/40 ,  C30B29/605 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66439

摘要： The present invention concerns a substrate comprising a continuous or discontinuous layer of silicon and/or germanium consisting of one or a plurality of monocrystalline grains, and on said layer, one or a plurality of objects of varying shapes consisting of materials which require substrates having a crystalline orientation (111) suitable for the epitaxial growth of same. The invention also concerns a method for producing such a substrate.

摘要翻译： 本发明涉及包括由一个或多个单晶颗粒组成的连续或不连续的硅和/或锗层的衬底，并且在所述层上，一个或多个不同形状的物体由需要具有 晶体取向（111）适合外延生长。 本发明还涉及一种生产这种基材的方法。

公开(公告)号：WO2014025722A2

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：PCT/US2013/053702

申请日：2013-08-06

申请人： AVOGY, INC.

发明人： NIE, Hui ,  DISNEY, Donald R. ,  KIZILYALLI, Isik C.

IPC分类号： H01L29/80 ,  H01L21/20 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/83 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating an electronic device includes providing an engineered substrate structure comprising a III-nitride seed layer, forming GaN-based functional layers coupled to the III-nitride seed layer, and forming a first electrode structure electrically coupled to at least a portion of the GaN-based functional layers. The method also includes joining a carrier substrate opposing the GaN-based functional layers and removing at least a portion of the engineered substrate structure. The method further includes forming a second electrode structure electrically coupled to at least another portion of the GaN-based functional layers and removing the carrier substrate.

摘要翻译： 一种制造电子器件的方法包括提供包括III族氮化物种子层的工程化衬底结构，形成与III族氮化物种子层耦合的GaN基功能层，以及形成电耦合到至少一部分 GaN基功能层。 该方法还包括将与GaN基功能层相对的载体衬底接合并去除工程衬底结构的至少一部分。 该方法还包括形成电耦合到GaN基功能层的至少另一部分并去除载体衬底的第二电极结构。

公开(公告)号：WO2013098657A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：PCT/IB2012/050002

申请日：2012-01-01

申请人： RAMOT AT TEL-AVIV UNIVERSITY LTD. ,  PATOLSKY, Fernando ,  PEVZNER, Alexander ,  ENGEL, Yoni ,  ELNATHAN, Roey ,  TSUKERNIK, Alexander ,  BARKAY, Zahava

发明人： PATOLSKY, Fernando ,  PEVZNER, Alexander ,  ENGEL, Yoni ,  ELNATHAN, Roey ,  TSUKERNIK, Alexander ,  BARKAY, Zahava

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/02645 ,  B82B3/0038 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02653 ,  H01L27/0688 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/861

摘要： A process of fabricating a nanostructure is disclosed. The process is effected by growing the nanostructure in situ within a trench formed in a substrate and having therein a metal catalyst selected for catalyzing the naostructure growth, under the conditions in which the growth is guided by the trench. Also disclosed are nanostructure systems comprising a nanostructure, devices containing such systems and uses thereof.

摘要翻译： 公开了一种制造纳米结构的方法。 该方法通过在形成在基底中的沟槽内原位生长纳米结构，并且在其中生长由沟槽引导的条件下具有选择用于催化非结构生长的金属催化剂。 还公开了包含纳米结构的纳米结构体系，含有这种体系的装置及其用途。

公开(公告)号：WO2012170099A2

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：PCT/US2012/029878

申请日：2012-03-21

申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY ,  HOFMANN, Mario ,  KONG, Jing

发明人： HOFMANN, Mario ,  KONG, Jing

IPC分类号： C01B31/04

CPC分类号： C23C16/0272 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/184 ,  C23C16/04 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/24926

摘要： A graphene pattern is fabricated by forming a pattern of passivation material on a growth substrate. The pattern of passivation material defines an inverse pattern of exposed surface on the growth substrate. A carbon-containing gas is supplied to the inverse pattern of the exposed surface of the growth substrate, and patterned graphene is formed from the carbon. The passivation material does not facilitate graphene growth, and the inverse pattern of exposed surface of the growth substrate facilitates graphene growth on the exposed surface of the growth substrate.

摘要翻译： 通过在生长衬底上形成钝化材料的图案来制造石墨烯图案。 钝化材料的图案限定了生长衬底上的暴露表面的逆向图案。 将含碳气体供给到生长衬底的暴露表面的相反图案，并且由碳形成图案化的石墨烯。 钝化材料不利于石墨烯生长，并且生长衬底的暴露表面的逆向图案有助于生长衬底的暴露表面上的石墨烯生长。

公开(公告)号：WO2012106814A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：PCT/CA2012/000135

申请日：2012-02-10

申请人： THE ROYAL INSTITUTION FOR THE ADVANCEMENT OF LEARNING/MCGILL UNIVERSITY ,  Ml, Zetian ,  CUI, Kai ,  NGUYEN, Hieu Pham Trung

发明人： Ml, Zetian ,  CUI, Kai ,  NGUYEN, Hieu Pham Trung

IPC分类号： H01L21/20 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N27/00 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/868 ,  H01L31/06 ,  H01L31/101 ,  H01L33/06 ,  H01S5/34

CPC分类号： H01L29/0676 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/068 ,  H01L29/127 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/775 ,  H01L33/005 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18

摘要： Amongst the candidates for very high efficiency solid state light sources and full solar spectrum solar cells are devices based upon InGaN nanowires. Additionally these nanowires typically require heterostructures, quantum dots, etc which all place requirements for these structures to be grown with relatively few defects and in a controllable reproducible manner. Additionally flexibility according to the device design requires that the nanowire at the substrate may be either InN or GaN. According to the invention a method of growing relatively defect free nanowires and associated structures for group IIIA-nitrides is presented without the requirement for foreign metal catalysts and overcoming the non-uniform growth of prior art non-catalyst growth techniques. According to other embodiments of the invention self-organizing dot-within-a-dot nanowire and dot-within-a-dot-within-a-well nanowire structures are presented.

摘要翻译： 在非常高效的固态光源和全太阳光谱太阳能电池的候选者中，是基于InGaN纳米线的器件。 另外，这些纳米线通常需要异质结构，量子点等，这些都使得这些结构以相对较少的缺陷生长并且以可控的可重现的方式生长。 另外根据器件设计的灵活性要求衬底上的纳米线可以是InN或GaN。 根据本发明，提出了生长相对缺陷的纳米线和用于IIIA族氮化物的相关结构的方法，而不需要外来金属催化剂并克服现有技术的非催化剂生长技术的不均匀生长。 根据本发明的其它实施方案，提出了自组织点内纳米线和点内一点内的纳米线结构。

公开(公告)号：WO2010038463A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：PCT/JP2009/005070

申请日：2009-10-01

申请人： 住友化学株式会社 ,  秦雅彦

发明人： 秦雅彦

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78681 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7378

摘要： 　ベース基板と、絶縁層と、Ｓｉ ｘ Ｇｅ １－ｘ 結晶層（０≦ｘ＜１）とをこの順に有する半導体基板であって、Ｓｉ ｘ Ｇｅ １－ｘ 結晶層（０≦ｘ＜１）は少なくとも一部の領域がアニールされており、少なくとも一部の領域でＳｉ ｘ Ｇｅ １－ｘ 結晶層（０≦ｘ＜１）に格子整合または擬格子整合している化合物半導体を備える半導体基板を提供する。また、サブストレートと、サブストレート上に設けられた絶縁層と、絶縁層上に設けられて少なくとも一部の領域がアニールされたＳｉ ｘ Ｇｅ １－ｘ 結晶層（０≦ｘ＜１）と、少なくとも一部の領域でＳｉ ｘ Ｇｅ １－ｘ 結晶層（０≦ｘ＜１）に格子整合または擬格子整合している化合物半導体と、化合物半導体を用いて形成された半導体デバイスとを備える電子デバイスを提供する。

摘要翻译： 公开了具有基底基板，绝缘层和SixGe1-x晶体层（0 = xxGe1-x晶体层（0 = x <1））的半导体基板和晶格匹配或准晶体化合物的化合物半导体， 还包含至少与SixGe1-x晶体层（0 = x <1）的区域晶格匹配的电子器件，还公开了一种电子器件，其包括基板，形成在基板上的绝缘层，SixGe1-x晶体层 0 = x <1），至少在一个区域退火，至少在SixGe1-x晶体层的区域上晶格匹配或准晶格匹配的化合物半导体（0 = x <1） 1）和使用该化合物半导体形成的半导体器件。