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公开(公告)号：WO2019223115A1
公开(公告)日：2019-11-28
申请号：PCT/CN2018/098554
申请日：2018-08-03
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种纳米线晶体管及其制作方法，该纳米线晶体管(10)包括：半导体线(1)、半导体层(2)、源极(3)和漏极(4)。半导体线(1)包括第一半导体材料并且包括源区(102)、漏区(103)和沟道区(101)，沿半导体线(1)的轴向方向，沟道区(101)位于源区(102)和漏区(103)之间；半导体层(2)包括第二半导体材料并且包覆半导体线(1)的沟道区(101)；源极(3)位于半导体线(1)的源区(102)内并与半导体线(1)的源区(102)直接接触，漏极(4)位于半导体线(1)的漏区(103)内并与半导体线(1)的漏区(103)直接接触。
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