公开(公告)号：WO2015015367A1

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：PCT/IB2014/063305

申请日：2014-07-22

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： GRENET, Louis ,  ALTAMURA, Giovanni ,  KOHEN, David ,  FILLON, Raphaël ,  PERRAUD, Simon

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L31/0326 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: L'Invention est relative à un procédé de réalisation d'une jonction pn dans une cellule photovoltaïque en couches minces à base de CZTS, comprenant; a) une étape de dépôt d'une couche de précurseurs contenant du zinc, de l'étain et du cuivre, la quantité de zinc étant supérieure à celle nécessaire pour transformer les précurseurs en un matériau photovoltaïque du type CZTS et b) une étape de recuit des précurseurs, sous atmosphère de soufre et/ou de sélénium, de façon à obtenir une couche photovoltaïque en CZTS et une couche tampon en ZnS 1-x Se x , avec x compris entre 0 et 1.

Abstract translation: 本发明涉及一种在由薄CZTS基薄膜制成的光伏电池中制备pn结的方法，包括：a）沉积含有锌，锡和铜的前体膜的步骤，锌的量大于 需要将前体转化为CZTS型光伏材料和b）在含硫和/或含硒气氛下退火前体的步骤，以获得由CZTS制成的光伏膜和由ZnS1制成的缓冲层 -xSex，其中x在0和1之间。

公开(公告)号：WO2012123649A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：PCT/FR2012/000078

申请日：2012-03-06

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  KOHEN, David ,  KARTS, Nicolas ,  PERRAUD, Simon

Inventor： KOHEN, David ,  KARTS, Nicolas ,  PERRAUD, Simon

IPC: H01L31/0352 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L31/022408 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/127 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/074 ,  Y02E10/50

Abstract: Un dispositif comprend une pluralité de fils (2) de dimensions nanométriques ou micrométriques, formés par un matériau semi-conducteur choisi parmi le silicium, le germanium et un alliage de silicium et de germanium. Le dispositif comporte en outre des billes (3) améliorant la tenue mécanique du dispositif et les propriétés d'absorption optique. Les billes (3) ont un diamètre compris entre 100nm et 1μm et elles sont composées par des agglomérats sphériques de particules d'oxyde de zinc d'un diamètre compris entre 10nm et 200nm. Les billes (3) sont, en particulier, obtenues par immersion des fils dans un bain contenant un solvant alcoolique et de l'acétate de zinc, dans des conditions de température et de pression maintenant le solvant alcoolique à l'état liquide et par recuit thermique des fils transformant l'acétate de zinc en oxyde de zinc.

Abstract translation: 该器件包括由选自硅，锗和硅 - 锗合金的半导体形成的多个纳米尺寸或微米尺寸的导线（2）。 该装置还包括增加装置的强度及其光学吸收性能的颗粒（3）。 颗粒（3）的直径在100nm和1μm之间，它们由直径在10nm和200nm之间的氧化锌颗粒的球形聚集体组成。 特别地，通过在保持醇类溶剂处于液态的温度和压力条件下将电线浸没在含有醇类溶剂和乙酸锌的浴中，并且通过加热电线得到颗粒（3） 将乙酸锌转化为氧化锌。