基板処理装置及び基板処理方法
    91.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2020184179A1

    公开(公告)日:2020-09-17

    申请号:PCT/JP2020/007699

    申请日:2020-02-26

    Inventor: 森 弘明

    Abstract: 基板処理装置は、保持部に保持された前記第1の基板を撮像する撮像部と、前記保持部に保持された前記第1の基板の内部に、除去対象の周縁部と中央部の境界に沿ってレーザ光を照射して改質層を形成する改質部と、前記保持部と前記撮像部を相対的に移動させる第1の移動部と、前記保持部、前記撮像部、前記改質部及び前記第1の移動部を制御する制御部と、を有する。前記撮像部は、前記第1の基板の複数点においてフォーカス調整を行った後、前記第1の基板の複数点を撮像する。前記制御部は、前記撮像部のフォーカス調整及び/又は前記撮像部による撮像を、前記保持部と前記撮像部を相対的に移動させながら行うように、前記保持部、前記撮像部及び前記第1の移動部を制御する。

    METHOD FOR MANUFACTURING A PARTIALLY TEXTURED GLASS ARTICLE

    公开(公告)号:WO2020169644A1

    公开(公告)日:2020-08-27

    申请号:PCT/EP2020/054309

    申请日:2020-02-19

    Abstract: The invention relates to a method of manufacturing at least a partially textured glass article comprising the steps of, in order : a) providing a partially textured mother glass substrate having a first main surface and a second main surface which are opposed to each other, b) irradiating at least the first main surface of the glass substrate with a laser to form, on the first main surface, at least one separating line defining contour lines and extending in a depth direction from the first main surface to the second main surface, for dividing at least one glass article from the glass substrate, the glass article having a size smaller than the size of the mother glass substrate, and c) separating the at least one partially textured glass article from the mother glass substrate according to the at least one separating line. The invention allows cutting with a high precision a large partially textured mother glass substrate into smaller articles of partially textured glass at a requested size.

    光硬化性粘着剤の評価方法、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法

    公开(公告)号:WO2020137836A1

    公开(公告)日:2020-07-02

    申请号:PCT/JP2019/049957

    申请日:2019-12-19

    Abstract: ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに用いられる光硬化性粘着剤の評価方法が開示される。当該評価方法は、光硬化性粘着剤からなる光硬化性粘着剤シートを準備し、引張試験を実施して、変位に対する試験力のグラフを作成し、ヒステリシス曲線からヒステリシス曲線で囲われる面積を損失仕事として求める工程と、光硬化性粘着剤からなる光硬化性粘着剤層を備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備し、光硬化性粘着剤層に対して紫外線を照射して、光硬化性粘着剤層の硬化物を形成し、接着剤層と光硬化性粘着剤層の硬化物とを剥離させたときの剥離力を測定する工程と、損失仕事及び剥離力に基づいて、光硬化性粘着剤の良否を判定する工程とを備える。

    レーザ加工装置
    95.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2020090909A1

    公开(公告)日:2020-05-07

    申请号:PCT/JP2019/042616

    申请日:2019-10-30

    Abstract: レーザ加工装置は、支持部と、レーザ加工ヘッドと、鉛直移動機構と、水平移動機構と、制御部と、を備える。制御部は、支持部を回転させながら、対象物における有効領域の周縁に沿った位置に集光点を位置させた状態で、回転情報に基づいてレーザ加工ヘッドにおけるレーザ光の照射の開始及び停止を制御することにより、対象物における有効領域の周縁に沿って改質領域を形成させる周縁処理を実行する。

    レーザ加工装置及びレーザ加工方法

    公开(公告)号:WO2020090894A1

    公开(公告)日:2020-05-07

    申请号:PCT/JP2019/042589

    申请日:2019-10-30

    Abstract: レーザ加工装置は、支持部と、照射部と、制御部と、を備える。照射部は、レーザ光の光軸に垂直な面内における集光領域の一部の形状が長手方向を有するようにレーザ光を成形する成形部を有する。制御部は、長手方向が集光領域の一部の移動方向と交差するように第1向きと第2向きとを決定する決定部と、第1領域に沿って集光領域の一部を相対的に移動させて改質領域を形成させると共にラインの第1領域以外の領域での改質領域の形成を停止させる第1処理と、第2領域に沿って集光領域の一部を相対的に移動させて改質領域を形成させると共にラインの第2領域以外の領域での改質領域の形成を停止させる第2処理と、を実行する加工制御部と、第1処理を実行する場合に第1向きとなるように長手方向の向きを調整すると共に、第2処理を実行する場合に第2向きとなるように長手方向の向きを調整する調整部と、を有する。

    レーザ加工方法
    97.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2020090893A1

    公开(公告)日:2020-05-07

    申请号:PCT/JP2019/042588

    申请日:2019-10-30

    Abstract: レーザ加工方法は、表面側に機能素子層を有する対象物に対して、対象物の裏面から、ラインに沿ってパルスレーザ光を照射するレーザ光照射工程を備える。レーザ光照射工程は、ラインに沿って第1パルスレーザ光を機能素子層に照射し、ラインに沿って弱化領域を機能素子層に形成する第1工程と、ラインに沿って、第1パルスレーザ光に対して後行するように第2パルスレーザ光を対象物の内部に照射し、ラインに沿って表面に達する亀裂を対象物に形成する第2工程と、を有する。第1パルスレーザ光のパルス幅は、第2パルスレーザ光のパルス幅よりも短い。

    半導体装置の製造方法
    98.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2020085220A1

    公开(公告)日:2020-04-30

    申请号:PCT/JP2019/041004

    申请日:2019-10-18

    Abstract: 硬化性樹脂層から形成された保護膜によってバンプを備える半導体ウエハのバンプネックを保護しながらも、当該半導体ウエハの薄化と当該半導体ウエハの反りの抑制との両立を図ることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを課題とした。そして、下記工程(A)~(E)をこの順で含む、半導体装置の製造方法とした。 (A)バンプを備える半導体ウエハのバンプ形成面に、硬化性樹脂層を形成する工程 (B)前記硬化性樹脂層を硬化させて、保護膜を形成する工程 (C)前記バンプを備える半導体ウエハの前記保護膜の形成面に、バックグラインドテープを貼付する工程 (D)前記バックグラインドテープを貼付した状態で、前記バンプを備える半導体ウエハの前記バンプ形成面とは反対面の研削を行う工程 (E)前記研削後の前記バンプを備える半導体ウエハから前記バックグラインドテープを剥離する工程

    レーザ加工装置
    99.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2020009072A1

    公开(公告)日:2020-01-09

    申请号:PCT/JP2019/026166

    申请日:2019-07-01

    Inventor: 奥間 惇治

    Abstract: 第1波長のレーザ光を加工対象物の第1表面側から前記加工対象物に照射することにより、前記加工対象物のレーザ加工を行うためのレーザ加工装置であって、前記レーザ光を出力するレーザ光源と、前記第1表面に向けて前記レーザ光を集光して集光点を形成する集光ユニットと、前記第1表面からの前記レーザ光の反射光を撮像するカメラと、変調パターンに応じて前記レーザ光を変調するための空間光変調器と、前記レーザ光源の制御によって前記第1表面に前記レーザ光を照射すると共に、前記カメラの制御により前記反射光を撮像することによって、前記第1波長に対する前記第1表面の反射率を取得する取得処理を実行する制御部と、を備え、前記制御部は、前記取得処理を実行する前に、前記第1表面における前記レーザ光のパワー密度を低下させるための前記変調パターンを前記空間光変調器に提示させる変調処理を実行する、レーザ加工装置。

    ACTIVELY CONTROLLED LASER PROCESSING OF TRANSPARENT WORKPIECES

    公开(公告)号:WO2019245855A1

    公开(公告)日:2019-12-26

    申请号:PCT/US2019/036983

    申请日:2019-06-13

    Abstract: A method for processing a transparent workpiece includes forming a contour of defect in the transparent workpiece and separating the transparent workpiece along the contour using an infrared laser beam. During separation, the method also includes detecting a position and propagation direction of a crack tip relative to a reference location and propagation direction of an infrared beam spot, determining a detected distance and angular offset between the crack tip and the reference location of the infrared beam spot, comparing the detected distance to a preset distance, comparing the detected angular offset to a preset angular offset, and modifying at least one of a power of the infrared laser beam or a speed of relative translation between the infrared laser beam and the transparent workpiece in response to a difference between the detected distance and the preset distance and between the detected angular offset and the preset angular offset.

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