公开(公告)号：WO2004039129A1

公开(公告)日：2004-05-06

申请号：PCT/JP2003/003483

申请日：2003-03-20

Applicant: 住友電気工業株式会社 ,  加智 義文 ,  柊平 啓 ,  仲田 博彦

Inventor： 加智 義文 ,  柊平 啓 ,  仲田 博彦

IPC: H05B3/10

CPC classification number: H01L21/68757 ,  H01L21/67103 ,  H05B3/143

Abstract: 　抵抗発熱体の配線間距離を最適化することによって、ウエハ表面の均熱性を保持しながら、加熱処理時に抵抗発熱体間での短絡による損傷が防止することができる半導体製造装置用セラミックスヒーターを提供する。　セラミックス基板２の表面又は内部に抵抗発熱体３ａを有する半導体製造装置用セラミックスヒーターであって、抵抗発熱体３ａの断面において、抵抗発熱体３ａの底面と側面とがなす最小角度θを５°以上とする。セラミックスヒーターは、セラミックス基板２ａの表面又は内部に、更にプラズマ電極が配置されていても良い。また、セラミックス基板２ａは、窒化アルミニウム、窒化珪素、酸窒化アルミニウム、炭化珪素から選ばれた少なくとも１種が好ましい。

Abstract translation: 一种用于半导体生产系统的陶瓷加热器，其中通过优化电阻加热器的行间距离，可以在热处理时防止在电阻加热器之间短路导致的损伤，同时在晶片表面上保持均热性能。 用于半导体制造系统的陶瓷加热器具有布置在陶瓷基板（2）或陶瓷基板（2）的表面上的电阻加热器（3a），其中电阻加热器的底面和侧面之间的最小角度θ （3a）在其横截面上设定为不小于5°。 陶瓷加热器还可以包括布置在陶瓷基板（2a）或陶瓷基板（2a）的表面上的等离子体电极。 陶瓷基板（2a）优选包括选自氮化铝，氮化硅，氮氧化铝和碳化硅中的至少一种。

公开(公告)号：WO2004039128A1

公开(公告)日：2004-05-06

申请号：PCT/JP2003/003482

申请日：2003-03-20

Applicant: 住友電気工業株式会社 ,  加智 義文 ,  柊平 啓 ,  仲田 博彦

Inventor： 加智 義文 ,  柊平 啓 ,  仲田 博彦

IPC: H05B3/10

CPC classification number: H01L21/68757 ,  H01L21/67103 ,  H05B3/143

Abstract: 　セラミックスヒーターの形状、特に常温時の厚み方向における外径の変動を抑え、加熱処理時におけるウエハ表面の均熱性を高めた半導体製造装置用セラミックスヒーターを提供する。　セラミックス基板２ａ、２ｂの表面又は内部に抵抗発熱体３を有する半導体製造装置用セラミックスヒーター１であって、非加熱時において、セラミックスヒーターの厚み方向における最大外径と最少外径の差を、ウエハ載置面における平均外径の０.８％以下とする。セラミックスヒーター１は、セラミックス基板２ａ、２ｂの表面又は内部に、更にプラズマ電極が配置されていても良い。また、セラミックス基板２ａ、２ｂは、窒化アルミニウム、窒化珪素、酸窒化アルミニウム、炭化珪素から選ばれた少なくとも１種が好ましい。

Abstract translation: 一种用于半导体生产系统的陶瓷加热器，其中通过抑制陶瓷加热器的形状的变化，特别是常温下的厚度方向的外径，在热处理时在晶片表面上均匀性提高。 用于半导体制造系统的陶瓷加热器（1）具有布置在陶瓷基板（2a，2b）或陶瓷基板（2a，2b）的表面上的电阻加热器（3），其中，最大和最小外径之间的差异 陶瓷加热器未加热时的厚度方向设定为不大于晶片安装面的平均外径的0.8％。 陶瓷加热器（1）还可以包括布置在陶瓷基板（2a，2b）的表面上或在陶瓷基板（2a，2b）中的等离子体电极。 陶瓷基板（2a，2b）优选包括选自氮化铝，氮化硅，氮氧化铝和碳化硅中的至少一种。

公开(公告)号：WO2004038771A1

公开(公告)日：2004-05-06

申请号：PCT/JP2003/003481

申请日：2003-03-20

Applicant: 住友電気工業株式会社 ,  加智 義文 ,  柊平 啓 ,  仲田 博彦

Inventor： 加智 義文 ,  柊平 啓 ,  仲田 博彦

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H05B3/143

Abstract: 　半導体製造工程でウエハを処理する高温域においてウエハ載置面の平面度を高め、加熱処理時におけるウエハ表面の均熱性を高めた半導体製造装置用セラミックスヒーターを提供する。　セラミックス基板２ａ、２ｂの表面又は内部に抵抗発熱体３を有する半導体製造装置用セラミックスヒーター１であって、非加熱時（常温）のウエハ載置面の反り形状が０.００１～０.７ｍｍ／３００ｍｍの凹状である。セラミックスヒーター１は、セラミックス基板２ａ、２ｂの表面又は内部に、更にプラズマ電極が配置されていても良い。また、セラミックス基板２ａ、２ｂは、窒化アルミニウム、窒化珪素、酸窒化アルミニウム、炭化珪素から選ばれた少なくとも１種が好ましい。

Abstract translation: 一种用于半导体生产系统的陶瓷加热器，其中通过在半导体生产过程中通过提高用于处理晶片的高温区域中的晶片安装面的平面性，在热处理时在晶片表面上增强了均热性能。 用于半导体制造系统的陶瓷加热器（1）具有布置在陶瓷基板（2a，2b）或陶瓷基板（2a，2b）的表面上的电阻加热器（3），其中晶片安装面凹入地翘曲在0.001-0.7 mm / 300mm，不加热（常温）。 陶瓷加热器（1）还可以包括布置在陶瓷基板（2a，2b）的表面上或在陶瓷基板（2a，2b）中的等离子体电极。 陶瓷基板（2a，2b）优选包括选自氮化铝，氮化硅，氮氧化铝和碳化硅中的至少一种。

公开(公告)号：WO2003007661A1

公开(公告)日：2003-01-23

申请号：PCT/JP2002/006893

申请日：2002-07-08

Applicant: イビデン株式会社 ,  伊藤 康隆

Inventor： 伊藤 康隆

IPC: H05B3/74

CPC classification number: H05B3/143 ,  B32B18/00 ,  B32B38/145 ,  B32B2311/08 ,  C04B35/56 ,  C04B35/5626 ,  C04B35/565 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/63 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/634 ,  C04B35/645 ,  C04B37/025 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/94 ,  C04B2237/04 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/403 ,  C04B2237/408 ,  C04B2237/50 ,  C04B2237/62 ,  C04B2237/704 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6833

Abstract: A ceramic heater for heating the whole of a semiconductor wafer uniformly by supporting it stably without causing it to bend. The ceramic heater having a heating body on the surface of or inside a disk−shaped ceramic base and having through holes for passing lifter pins therethrough in the ceramic base is characterized in that the number of through holes is three or more, and the through holes are formed in an area at a distant from the center of the ceramic base, the distance being over 1/2 of the distance from the center of the ceramic base to the edge.

Abstract translation: 一种陶瓷加热器，用于通过稳定地支撑整个半导体晶片而不使其弯曲而均匀地加热。 具有加热体的陶瓷加热器，其在盘状陶瓷基体的表面或内部具有用于使提升销穿过其的陶瓷基座的通孔，其特征在于通孔数量为三个以上，并且通孔 形成在远离陶瓷基底的中心的区域中，该距离超过从陶瓷基底的中心到边缘的距离的1/2以上。

公开(公告)号：WO2002099855A1

公开(公告)日：2002-12-12

申请号：PCT/JP2001/004623

申请日：2001-05-31

Applicant: イビデン株式会社 ,  伊藤康隆 ,  平松靖二

Inventor： 伊藤康隆 ,  平松靖二

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67103 ,  H05B3/143

Abstract: A ceramic heater for a semiconductor producing and inspecting device capable of increasing a temperature decreasing rate and reducing a throughput time for semiconductor production, comprising a heating element formed on the surface of or inside a ceramic substrate, characterized in that the surface roughness of the ceramic substrate on the opposite side of the heated surface is 20μm or below by Ra.

Abstract translation: 一种用于半导体制造和检查装置的陶瓷加热器，其能够提高降温速率并减少半导体生产的生产时间，其包括形成在陶瓷基板的表面上或内部的加热元件，其特征在于，陶瓷的表面粗糙度 加热面相反一侧的基板Ra为20μm以下。

公开(公告)号：WO02045465A1

公开(公告)日：2002-06-06

申请号：PCT/JP2000/008551

申请日：2000-12-01

IPC: H01C17/065 ,  H01L21/00 ,  H05B3/12 ,  H05B3/14 ,  H05B3/26 ,  H01L21/027 ,  H05B3/10 ,  H05B3/20 ,  H05B3/68

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H05B3/12 ,  H05B3/143 ,  H05B3/265

Abstract: A ceramic heater having a resistor firmly attached to a ceramic board, wherein the resistor is composed of at least two kinds of noble meta particles, ruthenium dioxide and glass frit.

Abstract translation: 一种具有牢固地连接到陶瓷板的电阻器的陶瓷加热器，其中电阻器由至少两种贵金属微粒，二氧化钌和玻璃料组成。

公开(公告)号：WO02003435A1

公开(公告)日：2002-01-10

申请号：PCT/JP2001/005791

申请日：2001-07-04

IPC: H01L21/00 ,  H05B3/14 ,  H05B3/26 ,  H05B3/74 ,  H01L21/02 ,  H01L21/68 ,  H05B3/20

CPC classification number: H05B3/74 ,  H01L21/67103 ,  H05B3/143 ,  H05B3/265

Abstract: A hot plate for semiconductor manufacture and testing is provided that prevents the stagnation of air between a silicon wafer and a heating plane separated at a predetermined distance so the wafer can be heated uniformly. The hot plate includes a resistance-heating element formed on or within the surface of a ceramic substrate, the heating plane of which has glossiness of greater than 1.5%.

Abstract translation: 提供了用于半导体制造和测试的热板，其防止在硅晶片和加热平面之间以预定距离分开的空气停滞，从而可以均匀地加热晶片。 热板包括形成在陶瓷基板的表面上或表面内的电阻加热元件，其加热平面的光泽度大于1.5％。

公开(公告)号：WO02003434A1

公开(公告)日：2002-01-10

申请号：PCT/JP2001/005742

申请日：2001-07-03

IPC: H01L21/00 ,  H05B3/14 ,  H05B3/26 ,  H01L21/02 ,  H01L21/68 ,  H05B3/20

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H05B3/143 ,  H05B3/265

Abstract: A ceramic heater for a semiconductor manufacturing/testing apparatus has a resistance heating element excellent in adhesion with its substrate. The ceramic heater including a resistance heating element formed on the surface of its ceramic substrate, is characterized in that the surface of the side of the resistance heating element is corrugated.

Abstract translation: 用于半导体制造/测试装置的陶瓷加热器具有与其基板的粘附性优异的电阻加热元件。 陶瓷加热器包括形成在其陶瓷基板的表面上的电阻加热元件，其特征在于，电阻加热元件侧的表面是波纹状的。

公开(公告)号：WO01097263A1

公开(公告)日：2001-12-20

申请号：PCT/JP2001/005139

申请日：2001-06-15

IPC: H05B3/20 ,  C04B35/581 ,  C23C14/50 ,  C23C16/46 ,  H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  H05B3/10 ,  H05B3/14 ,  H05B3/16 ,  H05B3/18 ,  H05B3/26 ,  H05B3/68 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H05B3/143 ,  H05B3/265

Abstract: A hot plate capable of having the temperature of a heating surface accurately measured by a thermo-viewer due to a low infrared transmittance of up to 10% provided by a ceramic substrate, comprising a conductive layer formed on the surface or inside of the ceramic substrate, characterized in that the ceramic substrate has an infrared wavelength transmittance of 0 or up to 10%.

Abstract translation: 由陶瓷基板提供的高达10％的低红外线透射率，能够通过热观察器精确地测量加热面的温度的热板，包括形成在陶瓷基板的表面或内部的导电层 其特征在于，所述陶瓷基板具有0或高达10％的红外波长透射率。

公开(公告)号：WO01080601A1

公开(公告)日：2001-10-25

申请号：PCT/JP2001/003234

申请日：2001-04-16

IPC: H01L21/00 ,  H05B3/14 ,  H05B3/26 ,  H05B3/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/68 ,  H05B3/10 ,  H05B3/16

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H05B3/143 ,  H05B3/265

Abstract: A ceramic heater includes a resistance-heating element formed on one side of a ceramic substrate, and a workpiece is heated on the other side of the ceramic substrate. The variation in thickness of the substrate is between the average thickness plus 50% and the average thickness minus 50%, and the surface roughness Rmax of the resistance heating element is 0.05-100 microns and within 50% of the average thickness, so that the temperature distribution is uniform over the side of the resistance heating element where a workpiece is placed.

Abstract translation: 陶瓷加热器包括形成在陶瓷基板的一侧的电阻加热元件，并且工件在陶瓷基板的另一侧被加热。 基板的厚度变化在平均厚度加上50％和平均厚度减去50％之间，电阻加热元件的表面粗糙度Rmax为0.05-100微米，在平均厚度的50％以内，因此， 温度分布在放置工件的电阻加热元件的一侧是均匀的。