公开(公告)号：WO2008054239A1

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：PCT/RU2007/000086

申请日：2007-02-22

Applicant: ЗАКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО «НАУЧНОЕ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ» ,  АЛЕКСЕЕВ Алексей Николаевич ,  ПОГОРЕЛЬСКИЙ Михаил Юрьевич ,  МАХОВ Игорь Евгеньевич ,  КРАТЕНКО Владимир Иванович

Inventor： АЛЕКСЕЕВ Алексей Николаевич ,  ПОГОРЕЛЬСКИЙ Михаил Юрьевич ,  МАХОВ Игорь Евгеньевич ,  КРАТЕНКО Владимир Иванович

IPC: C30B23/08 ,  H01L21/26 ,  C23C14/28

CPC classification number: C30B23/02 ,  C23C14/50 ,  C23C16/4586 ,  C30B25/12 ,  C30B35/005 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68785

Abstract: Ростовой манипулятор вакуумной камеры предназначен для выращивания тонких пленок полупроводников методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Манипулятор размещен в вакуумной камере, которая содержит корпус (1) и крышку (2). Манипулятор содержит штангу (3) с нагревателем (4) на нижнем конце и базовым фланцем (5) на верхнем конце, полый трубчатый элемент (6) с держателем (17) полупроводниковой подложки (16) на нижнем конце. Штанга установлена внутри трубчатого элемента и сопряжена с ним посредством подшипников (7,8). Трубчатый элемент снабжен приводом вертикального возвратно-поступательного перемещения, выполненным в виде сильфона (10). Сильфон укреплен на крышке вакуумной камеры и снабжен механизмом (9) сжатия - растяжения. Трубчатый элемент снабжен механизмом его вращения, который укреплен на базовом фланце и включает привод (11) и зубчатую передачу. Базовый фланец жестко укреплен на сильфоне. В результате повышается качество выращиваемых гетероструктур.

Abstract translation: 真空室的本发明生长操纵器用于通过分子束外延生长半导体薄膜。 将本发明的机械手放置在由主体（1）和盖（2）组成的真空室中。 所述操纵器包括设置有安装在其下端的加热器（4）和设置在其顶端的基座凸缘（5）的杆（3）和管状中空元件（6） 在其下端设置有半导体衬底（16）的保持器（17）。 该杆布置在管状元件的内部，并通过轴承（7,8）与其配合。 管状元件设置有用于执行垂直往复运动的驱动器，并以波纹管（10）的形式实施。 波纹管固定在真空室的盖上，并设有压缩延伸机构（9）。 管状元件设置有用于旋转的机构，其被固定到基部凸缘并且包括驱动器（11）和齿轮传动装置。 底座法兰刚性地固定在波纹管上。 本发明使得可以提高生长的异质结构的质量。

公开(公告)号：WO2013085417A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：PCT/RU2012/000396

申请日：2012-05-17

Applicant: ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "КОМПЛЕКТ ЮЩИЕ И МАТЕРИАЛЫ" ,  ПОГОРЕЛЬСКИЙ, Михаил Юрьевич ,  ШКУРКО, Алексей Петрович ,  АЛЕКСЕЕВ, Алексей Николаевич ,  ЧАЛЫЙ, Виктор Петрович

Inventor： ПОГОРЕЛЬСКИЙ, Михаил Юрьевич ,  ШКУРКО, Алексей Петрович ,  АЛЕКСЕЕВ, Алексей Николаевич ,  ЧАЛЫЙ, Виктор Петрович

IPC: C30B35/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/38

CPC classification number: C23C14/243 ,  C30B23/066 ,  C30B25/00 ,  C30B29/403 ,  C30B35/002

Abstract: Полезная модель относится к технике, используемой для испарения алюминия при выращивании кристаллов, главным образом AlN, в процессе эпитаксии, преимущественно, газофазной. В тигле для испарения алюминия в процессе эпитаксии, включающем корпус (1), выполненный в виде емкости, открытой со стороны ростовой зоны, корпус (1) выполнен из молибдена или его сплава с вольфрамом, или его сплава с рением; корпус (1) выполнен в виде емкости тороидальной формы. Создается тигель, который обеспечил бы предотвращение перетекания расплава А1 через стенки его корпуса (1) в процессе эпитаксии без охлаждения верхней части корпуса, что дает возможность использования тигля в процессе газофазной эпитаксии.

Abstract translation: 本实用新型涉及在外延生长中主要是AlN的晶体生长中主要用于气相外延的铝蒸发技术。 在用于在外延工艺中蒸发铝的坩埚中，坩埚包括在生长区侧开放的容器形式的主体（1），主体（1）由钼或其与钨的合金形成， 或其与铼的合金; 主体（1）为环形容器的形式。 结果是一种坩埚，其将防止Al熔体以外延工艺在其外壳体（1）的壁上溢出，而不会冷却主体的上部，这使得可以将坩埚用于气相外延 处理。

公开(公告)号：WO2012173520A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：PCT/RU2012/000397

申请日：2012-05-17

Applicant: ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "КОМПЛЕКТУЮЩИЕ И МАТЕРИАЛЫ" ,  ПОГОРЕЛЬСКИЙ Михаил Юрьевич ,  ШКУРКО, Алексей Петрович ,  АЛЕКСЕЕВ, Алексей Николаевич ,  ЧАЛЫЙ Виктор Петрович

Inventor： ПОГОРЕЛЬСКИЙ Михаил Юрьевич ,  ШКУРКО, Алексей Петрович ,  АЛЕКСЕЕВ, Алексей Николаевич ,  ЧАЛЫЙ Виктор Петрович

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B25/186 ,  C23C14/243 ,  C30B23/02 ,  C30B25/08 ,  C30B25/14 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403

Abstract: Изобретение относится к технологии получения объемных монокристаллов и может быть использовано, преимущественно, в оптоэлектронике при изготовлении подложек для различных оптоэлектронных устройств, в том числе светодиодов, излучающих свет в ультрафиолетовом диапазоне. Способ выращивания монокристалла A1N путем газофазной эпитаксии из смеси, содержащей источник А1 и NH 3 , включает размещение в ростовой камере друг напротив друга источника А1 и обращенной к нему ростовой поверхностью подложки, образующих ростовую зону, создание в ростовой зоне потока NH 3 , нагрев источника А1 и подложки до температур, обеспечивающих рост монокристалла A1N на подложке. В качестве источника А1 используют только свободный А1, подложку предварительно обрабатывают Ga и/или In, после чего охлаждают источник А1 до температуры 800-900°С и осуществляют отжиг подложки путем нагрева ее до температуры 1300С-1400°С с последующим ее охлаждением до температуры нитридизации ее ростовой поверхности. Изобретение обеспечивает снижение дефектности выращиваемого монокристалла A1N.

Abstract translation: 本发明涉及三维单晶的制造技术，可以优选用于制造用于各种光电器件的衬底的光电子器件，包括在紫外区发射光的发光二极管。 通过气相外延从含有Al和NH 3源的混合物生长AlN单晶的方法包括：将Al源和衬底排列，其中所述衬底的生长表面朝着所述Al源转动，在 生长室，所述源和底物形成生长区; 在生长区产生NH3流; 并将Al源和衬底加热至确保衬底上AlN单晶生长的温度。 所使用的Al源仅为游离Al，基底用Ga和/或In预处理，然后将Al源冷却至800-900℃的温度，并将衬底通过加热至1300-1400的温度进行退火 ℃，随后将所述衬底冷却至所述衬底的生长表面的氮化温度。 本发明确保生长的AlN单晶中的缺陷程度的降低。