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    窒化物半導体基板およびその製造方法
    2.
    发明申请
    窒化物半導体基板およびその製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022181163A1

    公开(公告)日：2022-09-01

    申请号：PCT/JP2022/002747

    申请日：2022-01-26

    申请人： 信越半導体株式会社 ,  信越化学工業株式会社

    发明人： 土屋　慶太郎 ,  曲　偉峰 ,  久保田　芳宏 ,  永田　和寿

    IPC分类号： C30B33/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B29/06 ,  C23C16/34

    摘要： 本発明は、窒化物セラミックスからなるコアが封止層で封入されている耐熱性支持基板と、該耐熱性支持基板の上に設けられた平坦化層と、該平坦化層上に設けられた、炭素濃度が１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上のシリコン単結晶層と、該シリコン単結晶層上に設けられた、厚みが４～２０００ｎｍの炭化ケイ素を主成分とする炭化層と、該炭化層上に設けられた窒化物半導体層を備えたものである窒化物半導体基板である。これにより、高品質の窒化物半導体基板（特に高周波スイッチ、パワーアンプ、パワースイッチングデバイス用のＧａＮ系高移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）に適した窒化物半導体基板）とその製造方法が提供される。

    一种制备大尺寸单晶的装置
    3.
    发明申请
    一种制备大尺寸单晶的装置 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021208363A1

    公开(公告)日：2021-10-21

    申请号：PCT/CN2020/117571

    申请日：2020-09-25

    申请人： 中国电子科技南湖研究院 ,  中国电子科技集团公司第十三研究所

    发明人： 王书杰 ,  孙聂枫 ,  史艳磊 ,  邵会民 ,  李晓岚 ,  王阳 ,  付莉杰 ,  徐森锋 ,  姜剑 ,  刘惠生 ,  孙同年

    IPC分类号： C30B33/06

    摘要： 一种制备大尺寸单晶的装置，属于半导体材料制备领域，具体涉及将多块小尺寸单晶通过固态连接方式制备成大尺寸单晶的装置。所述的装置包括水冷炉、密闭置于水冷炉中的固态连接室、置于固态连接室内的组合夹具（16，18，19），组合夹具（16，18，19）固定多个晶块（15），使用顶柱（39，44）或应力压块（23）通过组合夹具（16，18，19）对晶块（15）施压，水冷炉中设置围绕固态连接室的加热丝（21，35），真空管道（22-3，37-1，48-1）连通固态连接室，在组合夹具（16，18，19）附近设置有热偶（32，51）。所述的装置具有如下有益效果：可以实现将小尺寸的单晶块连接制备成大尺寸的单晶；单晶制备过程中，不必考虑孪晶、多晶化等在传统单晶生长过程中需要注意的问题；设备简单；理论上可以制备任意尺寸的单晶。

    導電性Ｃ面ＧａＮ基板
    5.
    发明申请
    導電性Ｃ面ＧａＮ基板 审中-公开
    导电C面GaN衬底

    公开(公告)号：WO2018030311A1

    公开(公告)日：2018-02-15

    申请号：PCT/JP2017/028482

    申请日：2017-08-04

    申请人： 三菱ケミカル株式会社

    发明人： 三川　豊 ,  藤澤　英夫 ,  望月　多恵 ,  浪田　秀郎 ,  川端　紳一郎

    IPC分类号： C30B29/38 ,  C30B7/10 ,  C30B33/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

    摘要： 室温において、抵抗率が２×１０ -２ Ωｃｍ以下またはｎ型キャリア濃度が１×１０ １８ ｃｍ －３ 以上であり、更に、少なくとも一方の主表面上に、下記条件（Ａ１）および（Ｂ１）の少なくとも一方を充たす長さ４０ｍｍの仮想的な線分である第一線分を少なくともひとつ引き得る、導電性Ｃ面ＧａＮ基板が窒化物半導体デバイスの製造等に好ましく用い得る。　（Ａ１）当該第一線分上において、各ωスキャンの際のＸ線入射面を当該第一線分と平行にして（００４）反射のＸＲＣを１ｍｍ間隔で測定したとき、全測定点間でのＸＲＣのＦＷＨＭの最大値が３０ａｒｃｓｅｃ未満である；　（Ｂ１）当該第一線分上において、各ωスキャンの際のＸ線入射面を当該第一線分と平行にして（００４）反射のＸＲＣを１ｍｍ間隔で測定したとき、全測定点間でのＸＲＣのピーク角度の最大値と最小値との差が０．２°未満である。

    摘要翻译： 10 -2Ωcm或n型载流子浓度为1×10 18 cm-

    3 以上，进一步，在至少一个主表面，所述第一线段，其是满足以下条件的至少一种（A1）和至少（B1）的虚拟线段长度40mm 一个导电C面GaN衬底可以优选用于制造氮化物半导体器件等。 （A1）在第一线段上，当每个ω扫描的X射线入射平面与第一线段平行并且以1mm间隔测量（004）反射的XRC时， 的FWHM小于30arcsec XRC的的最大值;（B1）在所述第一线段中，在X射线入射表面的ω扫描在与反射XRC的第一线段（004）平行 以1mm的间隔测量，所有测量点之间XRC峰角的最大值和最小值之间的差值小于0.2°。

    VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERSCHICHT
    6.
    发明申请
    VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERSCHICHT 审中-公开
    制造半导体层的方法和装置

    公开(公告)号：WO2017067758A1

    公开(公告)日：2017-04-27

    申请号：PCT/EP2016/072970

    申请日：2016-09-27

    申请人： NEXWAFE GMBH

    发明人： REBER, Stefan ,  SCHILLINGER, Kai ,  SIEBKE, Frank

    IPC分类号： C30B33/06

    CPC分类号： C30B33/06

    摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschicht (3), folgende Verfahrensschritte umfassend: A Erzeugen einer Trennschicht (2) an einem Trägersubstrat (1); B Aufbringen einer Halbleiterschicht (3) auf der Trennschicht (2); C Ablösen der Halbleiterschicht (3) von dem Trägersubstrat. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass in Verfahrensschritt A die Trennschicht (2) zumindest eine Bearbeitungsseite des Trägersubstrats vollflächig überdeckend erzeugt wird, dass in Verfahrensschritt B die Halbleiterschicht (3) die Trennschicht (2) zumindest an der Bearbeitungsseite vollflächig überdeckend und eine oder mehrere Randseiten (5a, 5b) des Trägersubstrats zumindest teilweise überlappend aufgebracht wird und dass zwischen den Verfahrensschritten B und C in einem Verfahrensschritt C0 Bereiche der Halbleiterschicht (3), welche eine Randseite überlappen, entfernt werden. Die Erfindung betrifft weiterhin einen Halbleiterwafer, eine Vorrichtung zur Kantenkorrektur, eine Ablöseeinheit und eine Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleiterschicht.

    摘要翻译：

    本发明涉及一种用于制造（3），所述步骤包括的半导体层：一个形成在Tr的AUML的剥离层（2）; gersubstrat（1）; B在释放层（2）上沉积半导体层（3）; C从载体衬底分离半导体层（3）。 本发明的特征在于，在方法步骤A，分离层（2）的至少一个处理的Tr的AUML的侧上;至少在方法步骤B berdeckend所生成gersubstrats vollfl BEAR chig导航用途中，半导体层（3）隔离层（2）上的加工侧vollfl＆AUML ; chig导航用途berdeckend和一个或多个边缘侧面（5A，5B）的Tr的AUML; gersubstrats至少部分地导航用途是berlappend施加和那之间的方法步骤B和C中的半导体层的工艺步骤C0的区域（3）具有一个周边侧导航用途 重叠，被删除。 本发明还涉及半导体晶片，边缘校正装置，腐蚀单元和用于制造半导体层的装置

    タンタル酸リチウム単結晶基板及びこれの接合基板とこの製造法及びこの基板を用いた弾性表面波デバイス
    7.
    发明申请
    タンタル酸リチウム単結晶基板及びこれの接合基板とこの製造法及びこの基板を用いた弾性表面波デバイス 审中-公开
    钛酸锂单晶基板及其接合基板，其制造方法和使用接合基板的弹性表面波装置

    公开(公告)号：WO2016167165A1

    公开(公告)日：2016-10-20

    申请号：PCT/JP2016/061226

    申请日：2016-04-06

    申请人： 信越化学工業株式会社

    发明人： 丹野　雅行 ,  阿部　淳 ,  加藤　公二 ,  桑原　由則

    IPC分类号： C30B29/30 ,  C04B37/00 ,  C04B37/02 ,  C30B31/02 ,  C30B33/06 ,  H03H9/25

    CPC分类号： C30B29/30 ,  C01D15/02 ,  C01G33/00 ,  C01G35/00 ,  C01P2002/90 ,  C04B37/00 ,  C04B37/02 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/365 ,  C30B29/605 ,  C30B31/02 ,  C30B33/04 ,  C30B33/06 ,  H03H9/02559

    摘要： 【課題】　本発明の目的は、反りが小さく、ワレやキズのない、しかも、温度特性が従来の回転YカットLiTaO 3 基板よりも良好であり、電気機械結合係数が大きく、さらに、デバイスのQ値が高いタンタル酸リチウム単結晶基板を提供することである。 【解決手段】　本発明のタンタル酸リチウム単結晶基板は、結晶方位が回転36°Y～49°Yカットである回転YカットLiTaO 3 基板の表面から内部へLiを拡散させて、基板表面と基板内部とのLi濃度が異なる濃度プロファイルを有するLiTaO 3 単結晶基板であって、このLiTaO 3 単結晶基板は、単一分極処理が施されており、基板表面からLiTaO 3 基板表面を伝搬する弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長の5～15倍の深さまで、概略一様なLi濃度を有することを特徴とするものである。

    摘要翻译： 本发明的目的在于提供一种具有最小翘曲，无裂纹或缺陷，比常规旋转的Y切割LiTaO 3基板更好的温度特性的钽酸锂单晶基板，大的机电耦合系数，以及 设备中的高Q值。 [解决方案]这种钽酸锂单晶衬底是LiTaO3单晶衬底，其中Li从旋转的Y切割LiTaO 3衬底的表面向内部扩散，该晶片的旋转晶体为36°-49°Y切割 并且具有其中衬底表面和衬底内部的Li浓度不同的浓度分布，并且LiTaO 3单晶衬底的特征在于被处理为单极化，并且通过具有基本均匀的Li浓度 从衬底表面到达通过LiTaO3衬底表面传播的弹性表面波或泄漏弹性表面波的5-15倍的深度。

    一种蓝宝石热复合方法
    8.
    发明申请
    一种蓝宝石热复合方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2015077925A1

    公开(公告)日：2015-06-04

    申请号：PCT/CN2013/087882

    申请日：2013-11-26

    申请人： 浙江上城科技有限公司

    发明人： 吴云才

    IPC分类号： C30B33/06 ,  B32B7/04

    CPC分类号： B32B7/04 ,  B32B9/04 ,  C30B29/20 ,  C30B33/06

    摘要： 本发明涉及一种蓝宝石加工、复合以及应用技术。本发明提供了一种蓝宝石热复合方法，作为触摸屏的制造方法、清洗方法和研磨抛光方法，蓝宝石晶体物理加工方法。解决了单片蓝宝石崩边、裂纹、甚至破裂的技术问题，以及作为触摸屏的应用技术难题。

    ウエハの処理方法
    9.
    发明申请
    ウエハの処理方法 审中-公开
    WAFER的处理方法

    公开(公告)号：WO2014024829A1

    公开(公告)日：2014-02-13

    申请号：PCT/JP2013/071123

    申请日：2013-08-05

    申请人： 積水化学工業株式会社

    发明人： 利根川　亨 ,  麻生　隆浩 ,  上田　洸造 ,  藪口　博秀

    IPC分类号： H01L21/02 ,  C09J7/02 ,  C09J11/02 ,  C09J201/00 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/683

    CPC分类号： C30B33/00 ,  C09J5/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/302 ,  C09J2205/31 ,  C30B29/06 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

    摘要： 本発明は、接着剤組成物を介してウエハを支持板に固定した状態でウエハを処理するウエハの処理方法であって、より高い生産効率を実現したウエハの処理方法を提供することを目的とする。 本発明は、接着剤成分と、紫外線を照射することにより気体を発生する気体発生剤とを含有する接着剤組成物を介してウエハを支持板に固定する支持板固定工程と、前記支持板に固定されたウエハに処理を施すウエハ処理工程と、前記処理後のウエハに紫外線を照射して前記気体発生剤から気体を発生させて、支持板をウエハから剥離する支持板剥離工程とを有するウエハの処理方法であって、前記支持板剥離工程において、照射強度１００ｍＷ／ｃｍ ２ 以上の点状又は線状の紫外線を用いてウエハの全面を走査するように照射するウエハの処理方法である。

    摘要翻译： 本发明的目的是提供一种晶片的处理方法，该晶片在将晶片通过粘合剂组合物固定在支撑板上的状态下处理晶片，并且实现更高的生产效率。 本发明是一种晶片的处理方法，其特征在于，具有：支撑板固定工序，其中，所述晶片经由所述粘合剂组合物固定在所述支撑板上，所述粘合剂组合物包括粘合剂成分和气体发生剂，所述粘合剂成分和气体发生剂通过被 紫外光线; 晶片加工步骤，其中在固定到所述支撑板上的所述晶片上进行加工; 以及支撑板分离步骤，其中通过在处理之后用紫外线照射晶片，并且将支撑板从晶片分离，气体发生剂产生气体。 在支撑板剥离工序中，使用照射强度为100mW / cm 2以上的点状或线状紫外线进行照射，以扫描晶片的整个表面。